[实用新型]防撞突上机构有效
| 申请号: | 202121779529.X | 申请日: | 2021-08-02 |
| 公开(公告)号: | CN215451350U | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
| 发明(设计)人: | 刘明坤;梁吉来;姜博;王云峰 | 申请(专利权)人: | 大连佳峰自动化股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 大连优路智权专利代理事务所(普通合伙) 21249 | 代理人: | 宋春昕 |
| 地址: | 116000 辽宁省大连市经*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 防撞突上 机构 | ||
1.防撞突上机构,其特征在于:磁吸底座(7)上表面和顶针帽磁吸座(3)的下表面对应安装磁吸座磁铁(4),磁吸底座(7)和顶针帽磁吸座(3)之间通过磁吸座磁铁(4)吸合连接;磁吸底座(7)和顶针帽磁吸座(3)中心设有通孔,贯穿磁吸底座(7)和顶针帽磁吸座(3)中心的通孔设有下推杆(5)和上推杆(2),下推杆(5)的上端和上推杆(2)的下端分别设有推杆磁铁(8),下推杆(5)和上推杆(2)之间通过推杆磁铁(8)吸合连接;上推杆(2)上端安装顶针座(11),顶针座(11)上安装顶针(12);下推杆(5)下端连接电机(6)。
2.根据权利要求1所述的防撞突上机构,其特征在于:所述顶针帽磁吸座(3)上部安装顶针帽基座(9),顶针帽基座(9)上安装顶针帽(1),顶针座(11)和顶针(12)位于顶针帽(1)内。
3.根据权利要求2所述的防撞突上机构,其特征在于:所述顶针帽基座(9)内位于上推杆(2)外侧安装直线轴承(10)。
4.根据权利要求1所述的防撞突上机构,其特征在于:所述电机(6)为音圈电机。
5.根据权利要求1所述的防撞突上机构,其特征在于:所述磁吸底座(7)上表面设有机种检测传感器(13)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





