[实用新型]Micro-LED芯片承载基板

说明书

本实用新型公开了一种Micro‑LED芯片承载基板，其包括基板、背面与基板正面连接的连接层以及若干个设置于连接层正面的微结构，微结构具有弹性，各微结构呈阵列分布于连接层正面。本实用新型的Micro‑LED芯片承载基板用于与Micro‑LED芯片进行临时键合，当采用激光剥离技术（LLO）将Micro‑LED芯片与蓝宝石衬底相剥离时，该Micro‑LED芯片承载基板能有效避免Micro‑LED芯片发生开裂和/或位置偏移。

技术领域

本实用新型涉及LED显示领域，特别是指一种Micro-LED芯片承载基板。

背景技术

随着信息产业的迅猛发展，电子产品的应用越来越广泛。对于手机、平板电脑、笔记本、电视等电子产品而言，显示技术十分关键，目前最普遍的显示技术是发光二极管。Micro-LED芯片是新一代显示技术，Micro-LED芯片具有低功耗、高亮度、高效率、高可靠性，响应时间短、寿命长、超高分辨率与色彩饱和度等优点。有资料显示，与LCD、OLED相比，Micro-LED芯片的功率消耗量约为LCD的10％，OLED的50％；由此可以看出Micro-LED芯片具有十分明显的优势，未来有巨大的应用前景。

在现有技术中，基于Micro-LED芯片的Micro-LED显示面板在生产过程中，需要先将数以千万计的Micro-LED芯片从蓝宝石衬底上剥离下来后，然后再将Micro-LED芯片配合到驱动背板上。其中Micro-LED芯片从蓝宝石衬底上剥离时，需要先用临时键合材料将Micro-LED芯片与临时承载用的承载基板做临时键合，然后采用激光剥离技术（LLO）将Micro-LED芯片与蓝宝石衬底相剥离，从而使得Micro-LED芯片被转移至承载基板上。Micro-LED芯片在外延生长时的温度高达1000摄氏度，而Micro-LED芯片的氮化镓外延层与蓝宝石衬底的热膨胀系数相差较大，导致氮化镓外延层与蓝宝石衬底之间会存在分布不均匀的内应力；这样当采用激光剥离技术（LLO）将Micro-LED芯片与蓝宝石衬底相剥离时，临时键合到承载基板上的各Micro-LED芯片释放的内应力会存在大小和方向的差异，进而造成Micro-LED芯片发生开裂和/或位置偏移。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种Micro-LED芯片承载基板，该Micro-LED芯片承载基板用于与Micro-LED芯片进行临时键合，当采用激光剥离技术（LLO）将Micro-LED芯片与蓝宝石衬底相剥离时，该Micro-LED芯片承载基板能有效避免Micro-LED芯片发生开裂和/或位置偏移。

为了达成上述目的，本实用新型的解决方案是：

一种Micro-LED芯片承载基板，其包括基板、背面与基板正面连接的连接层以及若干个设置于连接层正面的微结构；所述微结构具有弹性，各微结构呈阵列分布于连接层正面且微结构凸出连接层正面。

所述微结构的材质为高分子弹性体。

所述微结构呈半球状或柱状。

各所述微结构之间存在间隙。

所述微结构包括一端与连接层正面连接的柱体以及与柱体另一端连接的盖体，盖体的直径大于柱体的直径，且微结构的剖面呈T型。

各所述微结构之间存在间隙，微结构的柱体的直径小于各微结构之间的间距。

采用上述方案后，本实用新型的Micro-LED芯片承载基板与Micro-LED芯片进行临时键合时，Micro-LED芯片通过范德华力与Micro-LED芯片承载基板的微结构粘合。当Micro-LED芯片承载基板A与Micro-LED芯片进行临时键合后再采用激光剥离技术将Micro-LED芯片与蓝宝石衬底相剥离时，微结构可变形而吸收Micro-LED芯片的氮化镓外延层释放的内应力，从而避免Micro-LED芯片被冲击而发生开裂和/移位的问题。

附图说明