[实用新型]一种红外芯片封装用的围坝陶瓷基板和红外芯片封装结构有效
| 申请号: | 202121714379.4 | 申请日: | 2021-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN217641371U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 陈玉成;曾广锋 | 申请(专利权)人: | 东莞先导先进科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/101;H01L31/0203;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 李琼芳;肖小龙 |
| 地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 红外 芯片 封装 陶瓷 结构 | ||
本实用新型公开了一种红外芯片封装用的围坝陶瓷基板,包括陶瓷基板和围坝,陶瓷基板下表面设有引脚,围坝设于陶瓷基板的上表面,且围坝与陶瓷基板形成顶部有开口的用于封装红外芯片的封装腔体,封装腔体的内底面设有第一金属化图形层和第二金属化图形层,围坝顶面设有金属层,围坝的内侧壁上覆盖有消光层;还公开了一种红外芯片封装结构。本实用新型的围坝陶瓷基板结构简单、容易实现,且可以有效吸收杂散光并且减少反射,提高封装所得的红外探测器图像输出后的图像对比度;本红外封装结构简单、容易实现、成本低,能够有效吸收杂散光并且减少反射,提高红外探测器图像输出后的图像对比度,且可大幅延长红外芯片封装后的可靠性寿命。
技术领域
本实用新型属于红外芯片封装技术领域,具体涉及一种红外芯片封装用的围坝陶瓷基板和红外芯片封装结构。
背景技术
芯片封装不仅能够对芯片进行保护,避免外界环境的不利因素诸如化学成分或机械损伤等对芯片的破坏,而且还可以提供芯片与外界的电连接及机械支撑,芯片封装方法包括多种,诸如红外芯片封装。目前现有的红外芯片封装结构存在红外检测清晰度较差,红外封装多是用绝缘的塑料材料包装起来,能起到一定密封和提高芯片电热性能的作用。目前的红外芯片的缺点光照强度不秪、光辐射效率不高、散热效果不理想以及防尘与防水性级别低。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述问题,本实用新型提供一种能够提高红外芯片封装后的图像对比度的围坝陶瓷基板,以及一种图像对比度高的红外芯片封装结构。
为实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种红外芯片封装用的围坝陶瓷基板,包括陶瓷基板和围坝,所述陶瓷基板下表面设有引脚,所述围坝设于所述陶瓷基板的上表面,且所述围坝与陶瓷基板形成顶部有开口的用于封装红外芯片的封装腔体,所述封装腔体的内底面设有用于固定红外芯片的第一金属化图形层和用作金属化焊盘的第二金属化图形层,所述围坝顶面设有金属层,所述围坝的内侧壁上覆盖有消光层。
作为优选,所述围坝通过粘接层或焊接层固定在陶瓷基板的上表面上;当围坝通过粘接层固定在陶瓷基板的上表面时,围坝侧壁上覆盖的消光层向下延伸,并覆盖所述粘接层的内周。
作为优选,所述围坝由围坝基板制成;所述围坝基板为覆铜板;所述覆铜板包括含树脂的基板和覆盖于基板表面的铜箔;所述覆铜板为单面覆铜板或双面覆铜板。
作为优选,所述围坝基板包括单块的双面覆铜板或层叠的两块单面覆铜板,当围坝基板为层叠的两块单面覆铜板时,两块单面覆铜板的基板相对并粘接。
作为优选,所述封装腔体顶部的开口为方形开口;所述消光层的材质为氟碳树脂。
作为优选,所述第二金属化图形层设于所述第一金属化图形层的两侧。
作为一个总的发明构思,本实用新型还提供一种红外芯片的封装结构,包括锗窗、红外芯片和三维陶瓷基板,所述三维陶瓷基板为前述的围坝陶瓷基板,所述红外芯片贴装于所述第一金属化图形层上,且所述红外芯片与所述金属化焊盘邦定,所述锗窗设于所述围坝的顶面上用于密封所述封装腔体的开口。
作为优选,锗窗面向所述陶瓷基板的一面上镀有锆钒铁合金或类似性能材质的吸气剂。即锗窗通过背面淀积金属工艺将锆钒铁合金或类似性能的材质直接溅射到锗窗的内表面。
作为优选,所述围坝顶面的金属层上设置可焊金属方形环,且通过可焊金属方形环与锗窗焊接。
作为优选,所述红外芯片通过所述属化焊盘和引脚与外部进行电连接。
本实用新型所产生的有益效果为:
(1)本实用新型的围坝陶瓷基板结构简单、容易实现,且可以有效吸收杂散光并且减少反射,提高封装所得的红外探测器图像输出后的图像对比度,本实用新型的围坝陶瓷基板和红外芯片封装结构可用红外非制冷/制冷的焦平面探测器等红外芯片的封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





