[实用新型]一种红外芯片封装用的围坝陶瓷基板和红外芯片封装结构

权利要求书

1.一种红外芯片封装用的围坝陶瓷基板，其特征在于，包括陶瓷基板和围坝，所述陶瓷基板下表面设有引脚，所述围坝设于所述陶瓷基板的上表面，且所述围坝与陶瓷基板形成顶部有开口的用于封装红外芯片的封装腔体，所述封装腔体的内底面设有第一金属化图形层和第二金属化图形层，所述围坝顶面设有金属层，所述围坝的内侧壁上覆盖有消光层。

2.根据权利要求1所述的红外芯片封装用的围坝陶瓷基板，其特征在于，所述围坝通过粘接层或焊接层固定在陶瓷基板的上表面上；当围坝通过粘接层固定在陶瓷化基板的上表面时，围坝侧壁上覆盖的消光层向下延伸，并覆盖所述粘接层的内周。

3.根据权利要求1或2所述的红外芯片封装用的围坝陶瓷基板，其特征在于，所述围坝由围坝基板制成；所述围坝基板为覆铜板；所述覆铜板包括含树脂的基板和覆盖于基板表面的铜箔；所述覆铜板为单面覆铜板或双面覆铜板。

4.根据权利要求3所述的红外芯片封装用的围坝陶瓷基板，其特征在于，所述围坝基板包括单块的双面覆铜板或层叠的两块单面覆铜板，当围坝基板为层叠的两块单面覆铜板时，两块单面覆铜板的基板相对并粘接。

5.根据权利要求1或2所述的红外芯片封装用的围坝陶瓷基板，其特征在于，所述封装腔体顶部的开口为方形开口；所述消光层的材质为氟碳树脂。

6.根据权利要求1或2所述的红外芯片封装用的围坝陶瓷基板，其特征在于，所述第二金属化图形层设于所述第一金属化图形层的两侧。

7.一种红外芯片封装结构，其特征在于，包括锗窗、红外芯片和三维陶瓷基板，所述三维陶瓷基板为如权利要求1-6任意一项所述的围坝陶瓷基板，所述第一金属化图形层用于固定红外芯片，所述红外芯片贴装于所述第一金属化图形层上，所述第二图形层用作金属化焊盘，且所述红外芯片与所述金属化焊盘邦定，所述锗窗设于所述围坝的顶面上用于密封所述封装腔体的开口。

8.根据权利要求7所述的红外芯片封装结构，其特征在于，所述锗窗面向所述陶瓷基板的一面上镀有吸气剂；所述吸气剂为锆钒铁合金或类似性能材质。

9.根据权利要求7或8所述的红外芯片封装结构，其特征在于，所述围坝顶面的金属层上设置可焊金属方形环，且通过可焊金属方形环与锗窗焊接。

10.根据权利要求7或8所述的红外芯片封装结构，其特征在于，所述红外芯片通过所述属化焊盘和引脚与外部进行电连接。