[实用新型]一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件

权利要求书

1.一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于，所述SiC功率器件包含合封的SiC-JFET管芯和Si-LDMOS管芯，所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极相连，所述SiC-JFET管芯的漏极从背面引出，作为SiC功率器件成品的漏极引出，所述Si-LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件成品的栅极引出，所述Si-LDMOS管芯的源极从背面引出，与SiC-JFET管芯的栅极相连并引出作为SiC功率器件成品的源极引出。

2.根据权利要求1所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述SiC功率器件包括第一基板和第二基板，所述Si-LDMOS管芯直接固定于所述第一基板上，所述SiC-JFET管芯通过所述第二基板固定于所述第一基板上，所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极相连，所述SiC-JFET管芯的漏极从背面引出，作为SiC功率器件的漏极引出，所述Si-LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件的栅极引出，所述SiC-JFET管芯的栅极通过第一基板与Si-LDMOS管芯的源极相连，所述Si-LDMOS管芯的源极从背面引出到第一基板作为SiC功率器件的源极引出。

3.根据权利要求2所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极之间、所述SiC-JFET管芯的栅极与所述第一基板之间通过连接件相连，以及所述Si-LDMOS管芯的栅极以及所述SiC-JFET管芯的漏极通过连接件引出，所述Si-LDMOS管芯的源极通过与第一基板相连的引线框架引出。

4.根据权利要求3所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述连接件为引线或铝带或铜夹。

5.根据权利要求1所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述SiC功率器件包括第一基板、第二基板和第一引线框架，所述SiC-JFET管芯和第二基板均直接固定于所述第一基板上，所述Si-LDMOS管芯固定于一第一引线框架上，所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极相连，所述SiC-JFET管芯的漏极从背面引出到第一基板上，作为SiC功率器件的漏极引出，所述Si-LDMOS管芯的栅极通过第二基板引出作为SiC功率器件的栅极，所述SiC-JFET管芯的栅极通过第一引线框架与所述Si-LDMOS管芯的源极相连，所述Si-LDMOS管芯的源极从背面引出到第一引线框架上，作为SiC功率器件的源极引出。

6.根据权利要求5所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极之间、所述SiC-JFET管芯的栅极与所述第一引线框架之间、所述Si-LDMOS管芯的栅极与第二基板之间通过连接件相连，所述第二基板通过连接件引出SiC功率器件的栅极，以及所述SiC-JFET管芯的漏极通过与第一基板相连的第二引线框架引出。

7.根据权利要求1所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述SiC功率器件包括第一基板和第二基板，所述SiC-JFET管芯固定于所述第一基板上，所述Si-LDMOS管芯固定于所述第二基板上，所述Si-LDMOS管芯的漏极与JFET器件的源极相连，所述SiC-JFET管芯的漏极从背面引出到第一基板上，作为SiC功率器件的漏极引出，所述Si-LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件的栅极引出，所述SiC-JFET管芯的栅极与第二基板相连，所述Si-LDMOS管芯的源极从背面引出到第二基板，引出作为SiC功率器件的源极。

8.根据权利要求7所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述Si-LDMOS管芯的漏极与SiC-JFET管芯的源极之间、所述SiC-JFET管芯的栅极与第二基板之间通过连接件相连，所述Si-LDMOS管芯的栅极通过连接件引出，所述Si-LDMOS管芯的源极通过与第二基板相连的引线框架引出。

9.根据权利要求8所述的一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其特征在于：所述连接件为引线或铝带或铜夹。