[实用新型]一种磁控溅射箱体的密封装置有效
| 申请号: | 202121672884.7 | 申请日: | 2021-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN215163083U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 冷长志;李启炎 | 申请(专利权)人: | 杭州云度新材料科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司: | 杭州永绎专利代理事务所(普通合伙) 33317 | 代理人: | 胡英超 |
| 地址: | 311400 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 磁控溅射 箱体 密封 装置 | ||
本实用新型公开了一种磁控溅射箱体的密封装置,包括箱体以及一端通过铰链活动安装在箱体上的箱门;其特征是还包括设置在箱门和箱体上的多级密封结构以及安装在箱门和箱体上用于锁紧箱门的若干锁紧机构。该实用新型通过多级密封结构的设置,大大增强箱门与箱体连接处的密封性,保证密封性而提高磁控溅射效果,从而提高产品镀膜质量;通过若干锁紧机构的设置,一是用于锁紧箱门,二是通过锁紧箱门驱使箱门和箱体上的多级密封结构接触更加紧密,密封效果更佳。
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射,具体是指一种磁控溅射箱体的密封装置。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率;因此在进行磁控溅射时对于磁控溅射箱体的密封性要求是非常高的,其是需要在真空环境下进行的,如箱体密封不好,则会导致磁控溅射效果不佳,从而导致产品质量差,并且发生泄漏还有一定的安全隐患。为此,提出一种磁控溅射箱体的密封装置。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决以上问题而提出一种磁控溅射箱体的密封装置。
为了达到上述目的,本实用新型提供了如下技术方案一种磁控溅射箱体的密封装置,包括箱体以及一端通过铰链活动安装在箱体上的箱门;其特征是还包括设置在箱门和箱体上的多级密封结构以及安装在箱门和箱体上用于锁紧箱门的若干锁紧机构。
进一步优选的,所述锁紧机构包含安装在箱门上的锁紧块、安装在箱体上且与锁紧块位置相对应的锁紧座、活动安装在锁紧座上的锁紧杆以及与锁紧杆活动连接的拉块。
进一步优选的,所述锁紧块上设有勾槽,所述拉块上设有与勾槽相适配的挂钩。
进一步优选的,所述多级密封结构包含设置在箱体上的密封槽以及设置在箱门上的密封块,所述密封槽内设置有若干凸台,所述箱门上设有与凸台相适配的凹槽。
进一步优选的,所述密封槽通过若干凸台形成波纹槽,所述波纹槽内安装有密封垫。
本实用新型通过多级密封结构的设置,大大增强箱门与箱体连接处的密封性,保证密封性而提高磁控溅射效果,从而提高产品镀膜质量;通过若干锁紧机构的设置,一是用于锁紧箱门,二是通过锁紧箱门驱使箱门和箱体上的多级密封结构接触更加紧密,密封效果更佳。
附图说明
附图1是本实用新型的结构示意图;
附图2是本实用新型中多级密封结构结构示意图;
附图3是本实用新型中箱门局部截面局部结构示意图;
附图4是本实用新型中箱体局部截面结构示意图
附图5是本实用新型中锁紧机构结构示意图。
图例说明:1、箱体;2、箱门;3、多级密封结构;31、密封槽;32、密封块;33、凸台;34、凹槽;35、波纹槽;36、密封垫;4、锁紧机构;41、锁紧块;42、锁紧座;43、锁紧杆;44、拉块;45、勾槽;46、挂钩。
具体实施方式
下面我们结合附图对本实用新型所述的一种磁控溅射箱体的密封装置做进一步的说明。
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