[实用新型]LED芯片结构、显示模组及电子设备

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片结构、显示模组及电子设备，该LED芯片结构将由纳米LED柱构成的LED柱阵列分隔成不同发光区，不同发光区内的纳米LED柱具有不同的尺寸，各发光区单独电连接有导电电极，利用纳米LED柱所具有的尺寸效应，通过对各发光区内纳米LED柱的单独控制实现芯片全彩化，相比于RGB三基色合成和UV/蓝光激发量子点的结构，本结构制备简单，无需颜色转换材料，优势明显。该显示模组及电子设备由于使用了上述LED芯片结构，成本低、色彩更鲜艳。

技术领域

本实用新型涉及LED显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构、显示模组及电子设备。

背景技术

当芯片尺寸突破1微米的极限，进入纳米量级时，此时的芯片就被称为纳米LED。纳米LED产生了一系列新颖的特性，如应力释放，量子限制斯塔克效应减轻、不同尺寸的器件发射不同波长的光谱等。

相关技术中的纳米发光二极管虽然通过在同一外延片上制备了直径不同的纳米LED柱，从而实现了白光的合成。但是，无法对不同直径的纳米LED柱单独控制，因而无法实现全彩化。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种LED芯片结构、显示模组及电子设备，用于解决现有的纳米发光二极管无法对不同直径的纳米LED单独控制，因而无法实现全彩化的问题。

为此，根据第一方面，一种实施例中提供了一种LED芯片结构，包括：

LED柱阵列，由多个纳米LED柱构成，所述LED柱阵列被分隔成不同的发光区，同一所述发光区内的所述纳米LED柱的直径相同，不同所述发光区内的所述纳米LED柱的直径不同；以及

导电电极，电连接于各发光区，所述导电电极为各发光区内的所有所述纳米LED柱供电，以实现单独电驱动各发光区发光。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，所述LED芯片结构还包括导电层及钝化层，所述LED柱阵列设置于所述导电层上，所述导电层背离所述纳米LED 柱一侧的表面为出光面，所述出光面经粗化后被所述钝化层覆盖。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，所述LED芯片结构还包括分隔槽和挡光绝缘分隔物，所述LED柱阵列由绝缘填充物分隔成不同的所述发光区，所述分隔槽设置于所述导电层上并与所述绝缘填充物对应，所述分隔槽用于使各所述发光区的所述导电层之间互不连接，所述挡光绝缘分隔物填充于所述分隔槽内。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，所述发光区的数量为三个，分别为第一发光区、第二发光区和第三发光区，且所述第一发光区、所述第二发光区和所述第三发光区内的所述纳米LED柱的直径分别为100-150nm、151-200nm 和201-300nm。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，所述导电电极的数量至少为一个，当所述导电电极的数量为多个时，所述导电电极均匀分布或对称分布。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，同一所述发光区内的所述纳米LED 柱之间填充有钝化物。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，所述绝缘填充物为透明绝缘填充物、不透光绝缘填充物或反光绝缘填充物，所述钝化物为透明绝缘材料。

在所述LED芯片结构的一些实施例中，所述LED芯片结构为倒装芯片结构或垂直芯片结构。

根据第二方面，一种实施例中提供了一种显示模组，包括根据本实用新型第一方面所述的LED芯片结构。

根据第三方面，一种实施例中提供了一种电子设备，包括根据本实用新型第二方面所述的显示模组。

实施本实用新型实施例，将具有如下有益效果：