[实用新型]LED芯片结构、显示模组及电子设备

权利要求书

1.LED芯片结构，其特征在于，包括：

LED柱阵列，由多个纳米LED柱构成，所述LED柱阵列被分隔成不同的发光区，同一所述发光区内的所述纳米LED柱的直径相同，不同所述发光区内的所述纳米LED柱的直径不同；以及

导电电极，电连接于各发光区，所述导电电极为各发光区内的所有所述纳米LED柱供电，以实现单独电驱动各发光区发光。

2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构还包括导电层及钝化层，所述LED柱阵列设置于所述导电层上，所述导电层背离所述纳米LED柱一侧的表面为出光面，所述出光面经粗化后被所述钝化层覆盖。

3.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构还包括分隔槽和挡光绝缘分隔物，所述LED柱阵列由绝缘填充物分隔成不同的所述发光区，所述分隔槽设置于所述导电层上并与所述绝缘填充物对应，所述分隔槽用于使各所述发光区的所述导电层之间互不连接，所述挡光绝缘分隔物填充于所述分隔槽内。

4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述发光区的数量为三个，分别为第一发光区、第二发光区和第三发光区，且所述第一发光区、所述第二发光区和所述第三发光区内的所述纳米LED柱的直径分别为100-150nm、151-200nm和201-300nm。

5.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述导电电极的数量至少为一个，当所述导电电极的数量为多个时，所述导电电极均匀分布或对称分布。

6.根据权利要求3所述的LED芯片结构，其特征在于，同一所述发光区内的所述纳米LED柱之间填充有钝化物。

7.根据权利要求6所述的LED芯片结构，其特征在于，所述绝缘填充物为透明绝缘填充物、不透光绝缘填充物或反光绝缘填充物，所述钝化物为透明绝缘材料。

8.根据权利要求1-7任一权利要求所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构为倒装芯片结构或垂直芯片结构。

9.显示模组，其特征在于，包括如权利要求1-8任一权利要求所述的LED芯片结构。

10.电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示模组。