[实用新型]一种滤波器的晶圆级封装结构

说明书

本实用新型公开了一种滤波器的晶圆级封装结构，涉及半导体封装领域，该封装结构包括基底、设置在基底上的谐振区、导电层、介质层、屏蔽层、金属柱，介质层设置在导电层上并与导电层之间形成带释放孔的空腔结构，屏蔽层设置在介质层上并密封介质层上的各个释放孔，金属柱形成在滤波器外围的焊盘区域，用于进行后续的植球和倒装等工艺。该滤波器的晶圆级封装结构采用金属密封环封装方式，在谐振区上方形成空腔及电磁屏蔽结构，实现了滤波器的气密性晶圆级封装，起到保护滤波器、实现电磁屏蔽及防潮功能，达到提升芯片性能的效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其是一种滤波器的晶圆级封装结构。

背景技术

近年来发展起来的BAW滤波器和FBAR滤波器由于能在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能，并且有较高Q值和易实现微型化等特点，被广泛的应用于无线通信领域。由于BAW或者FBAR使用的金属和氧化物不能直接暴露在潮湿的环境中，否则会受到环境中电磁及湿度的影响，引起频率漂移或腐蚀损坏谐振器结构，因此对该类滤波器的封装要求较高。

为了保证BAW或者FBAR器件的可靠性，需要使得其具有良好的散热性能，而现有BAW或者FBAR器件的封装结构散热性较差，且不具备电磁屏蔽功能。传统的SMD封装技术虽然具有较高的可靠性，但加工尺寸过大且价格高昂，且使用金属密封包装还会影响滤波器的插损带外抑制等关键参数特性；而使用胶或者聚合物密封则会有较高的扩散速率，且更容易吸收湿气。

实用新型内容

本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种滤波器的晶圆级封装结构，本实用新型的技术方案如下：

一种滤波器的晶圆级封装结构，包括：

基底，基底包括设置在基底表面的谐振区和谐振区周围的导电层；

介质层，介质层设置在导电层上并与导电层之间形成带释放孔的空腔结构，谐振区位于带释放孔的空腔结构内；

屏蔽层，屏蔽层设置在介质层上并密封介质层上的释放孔，形成封闭空腔结构；

金属柱，金属柱设置在封闭空腔结构外围的导电层上，金属柱的高度大于封闭空腔结构的高度。

进一步的，还包括金属支撑柱，金属支撑柱设置于封闭空腔结构内的导电层上，支撑金属柱的高度大于谐振区的高度。

进一步的，支撑金属柱的高度为2μm～5μm。

进一步的，屏蔽层为金属层。

进一步的，释放孔的尺寸为0.2μm～0.5μm。

进一步的，导电层的厚度为50nm～400nm。

进一步的，滤波器为BAW滤波器或FBAR滤波器。

本实用新型的有益技术效果是：

本申请公开了一种晶圆级滤波器的封装结构，在谐振区上方形成空腔及电磁屏蔽结构，实现了BAW或者FBAR滤波器的气密性晶圆级封装，起到保护滤波器、实现电磁屏蔽及防潮的功能，进一步提升了芯片性能。

附图说明

图1是本实用新型的晶圆级封装结构示意图。

图2是本实用新型的晶圆级封装结构的制备工艺示图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。

本申请公开了一种晶圆级滤波器的封装结构，如图1所示，该封装结构包括：基底、设置在基底上的谐振区和谐振区周围的导电层1、介质层4、屏蔽层5以及金属柱6。