[实用新型]一种滤波器的晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 202121591881.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN215268210U | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李壮;代丹;王为标;陆增天 | 申请（专利权）人： | 无锡市好达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214124 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 滤波器 晶圆级 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种滤波器的晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
基底，所述基底包括设置在所述基底表面的谐振区和所述谐振区周围的导电层；
介质层，所述介质层设置在所述导电层上并与所述导电层之间形成带释放孔的空腔结构，所述谐振区位于所述带释放孔的空腔结构内；
屏蔽层，所述屏蔽层设置在所述介质层上并密封所述介质层上的所述释放孔，形成封闭空腔结构；
金属柱，所述金属柱设置在所述封闭空腔结构外围的所述导电层上，所述金属柱的高度大于所述封闭空腔结构的高度。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括金属支撑柱，所述金属支撑柱设置于所述封闭空腔结构内的所述导电层上，所述支撑金属柱的高度大于所述谐振区的高度。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述支撑金属柱的高度为2μm～5μm。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述屏蔽层为金属层。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述释放孔的尺寸为0.2μm～0.5μm。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电层的厚度为50nm～400nm。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述滤波器为BAW滤波器或FBAR滤波器。
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