[实用新型]惯性传感器

说明书

本申请提供了一种惯性传感器，解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中，惯性传感器包括：可动元件，可动元件包括叠置的第一衬底和第一导电层，第一衬底的材料为单晶材料。

技术领域

本申请涉及微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)器件技术领域，具体涉及一种惯性传感器。

背景技术

常规的MEMS惯性传感器有2种加工方案，一种是外延多晶硅，一种是SOI技术制备可动结构。外延多晶硅，是需要先沉积牺牲层，再沉积多晶硅种子层后进行外延，牺牲层通过VHF释放掉。这种工艺对于外延多晶硅的应力控制要求比较高，如果应力控制的不好，批量生产的惯性传感器的性能一致性差。SOI技术是通过硅/氧化硅键合的方式完成的，对于键合质量的要求比较高，而且由于氧化硅层不导电，对于氧化硅上下层的电互联比较有挑战。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种惯性传感器，以解决现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。

本申请提供了一种惯性传感器，包括：可动元件，可动元件包括叠置的第一衬底和第一导电层，第一衬底的材料为单晶材料。

在一个实施例中，惯性传感器还包括第二导电层，第二导电层位于第一导电层的背离第一衬底的一侧，第二导电层和第一导电层之间具有间隙。

在一个实施例中，第一导电层和第二导电层的材料相同。

在一个实施例中，第一导电层的朝向第二导电层的表面设置有止挡结构，止挡结构用于限制可动元件在垂直于第二导电层的方向上的位移。

在一个实施例中，止挡结构在垂直于第二导电层的方向上的正投影落在第二导电层外。

在一个实施例中，第一导电层的朝向第二导电层的表面设置有凸起，凸起形成止挡结构。

在一个实施例中，止挡结构的表面具有防粘连层。

在一个实施例中，防粘连层的材料包括氮化硅。

在一个实施例中，第一导电层朝向第二导电层的表面设置有突出部；第二导电层包括可动元件锚点，突出部与可动元件锚点连接。

在一个实施例中，第二导电层还包括两个固定电极，分别位于可动元件锚点的相对两侧。

根据本申请提供的惯性传感器，利用界面结合方式取代外延多晶硅方式，降低了结合界面的应力，提高了批量生产的惯性传感器的性能一致性。与此同时，相比于现有技术中的SOI技术而言，界面结合双方分别为第一导电层和单晶材料层，即在界面结合的同时便实现了电连接，降低了电互联难度。

附图说明

图1为本申请第一实施例提供的惯性传感器的制备方法流程图。

图2a～图2g为本申请第一实施例提供的图1所示惯性传感器的制备方法的执行过程中形成的器件结构示意图。

图3a～图3c为本申请第二实施例提供的图1所示惯性传感器的制备方法的执行过程中形成的器件结构示意图。

图4a和图4b为本申请第三实施例提供的图1所示惯性传感器的制备方法的执行过程中形成的器件结构示意图。

图5a～图5c为本申请第四实施例提供的图1所示惯性传感器的制备方法的执行过程中形成的器件结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。