[实用新型]半导体激光器封装结构

权利要求书

1.一种半导体激光器封装结构，其特征在于，包括：

泵浦源复合底座，包括相连接的第一底座和第二底座；所述第一底座包括多个第一台阶；所述第二底座包括多个第二台阶；所述第一台阶与所述第二台阶一一对应；

激光器芯片模组，每一所述第二台阶设有所述激光器芯片模组，位于相邻的所述第二台阶的所述激光器芯片模组串联连接，所述激光器芯片模组用以产生泵浦光束；透镜，每一所述第一台阶设有所述透镜，所述透镜用于接收并准直所述泵浦光束；及

反射镜，每一所述第一台阶设有所述反射镜，所述反射镜用于将经过准直的所述泵浦光束进行合束；

其中，所述第二底座的材质为金属材料，所述第二底座用以传导所述激光器芯片模组产生的热量；所述第一底座的材质为无机非金属材料，所述第一底座与所述透镜及所述反射镜的热膨胀系数相适配。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述第一底座设有第一沉槽，所述第一沉槽用以容纳所述第二底座；所述第二底座设于所述第一沉槽；或者

所述第二底座设有第二沉槽，所述第二沉槽用以容纳所述第一底座，所述第一底座设于所述第二沉槽。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述第一底座为氮化铝陶瓷底座；所述第二底座为铜底座或铜镀金底座或铜镀银底座。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述第一台阶包括相连接的第一台阶面和第一台阶侧壁；所述第二台阶包括相连接的第二台阶面和第二台阶侧壁；

相邻的两个所述第一台阶面的高度差与相邻的两个所述第一台阶面的高度差相同；所述第一台阶侧壁和对应的所述第二台阶侧壁位于同一平面。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述第一台阶面和对应的所述第二台阶面位于同一水平面；所述第一台阶侧壁和对应的所述第二台阶侧壁位于同一竖直面。

6.根据权利要求2所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述激光器芯片模组位于所述第二台阶面，所述激光器芯片模组包括：

热沉，所述热沉靠近所述第二台阶面设置；所述热沉包括热沉主体、第一金属导电层和第二金属导电层，所述第一金属导电层及所述第二金属导电层位于所述热沉主体的远离所述第二台阶面一侧，所述第一金属导电层与所述第二金属导电层间隔设置；

激光芯片，所述激光芯片位于所述第一金属导电层的远离所述热沉主体一侧；及

第一金属线，所述第一金属线一端电连接所述激光芯片、另一端电连接所述第二金属导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述激光芯片与所述第一金属导电层之间设有第三金属连接层；所述第一金属导电层及所述第二金属导电层为铜层或金层，所述第三金属连接层为金锡焊料层。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述热沉主体朝向所述第二台阶面的一侧设有第一金属导热层；所述热沉主体的材料为氮化铝陶瓷，所述第一金属导热层为铜层或金层。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，还包括第二金属线，用于电连接相邻的两个所述激光器芯片模组；所述第一金属线为金线，所述第二金属线为铝线。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器封装结构，其特征在于，所述相邻的两个激光器芯片模组包括第一激光器芯片模组和第二激光器芯片模组；位于第二底座的第一台阶区的沿台阶高度从高到低的方向依次为第一激光器芯片模组的第一金属导电层、第一激光器芯片模组的第二金属导电层、第二激光器芯片模组的第一金属导电层、第二激光器芯片模组的第二金属导电层；

所述第二金属线的一端连接所述第一激光器芯片模组的所述第二金属导电层、另一端连接所述第二激光器芯片模组的所述第一金属导电层。