[实用新型]一种立式半导体晶圆TTV干涉测试装置有效
| 申请号: | 202121558153.X | 申请日: | 2021-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN215064363U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 赵智亮;陈立华;赵子嘉;张志华;葛瑞红 | 申请(专利权)人: | 成都太科光电技术有限责任公司 |
| 主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 彭思雨 |
| 地址: | 610000 四川省成都市温*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 立式 半导体 ttv 干涉 测试 装置 | ||
本申请涉及半导体行业的晶圆检测技术领域,公开了一种立式半导体晶圆TTV干涉测试装置,所述装置由激光扩束准直单元、干涉成像单元、干涉测量单元以及整机调试单元构成。本申请在测量时,能够还原晶圆实际工作状态,因此能够测试晶圆实际工作状态下的参数,测试结果更加准确,精度更高,并且成本也更低。
技术领域
本申请涉及半导体行业的晶圆检测技术领域,具体涉及一种立式半导体晶圆TTV干涉测试装置。
背景技术
随着整个半导体行业的快速发展,国内半导体行业近几年的发展势头也越来越火热。半导体行业的发展离不开晶圆,晶圆是制作芯片的基础,而晶圆的厚度均匀性、弯曲度以及翘曲度等数据对晶圆的应力和性能有很大影响,因此晶圆检测设备是半导体行业中重要的精密检测测量设备。
目前,晶圆基片的全参数测试装置采用的测试方式有如下两种:第一种是干涉测量,第二种则是扫描测量。上述两种方式中,测量速度最快的是干涉测量,但是现有技术中,采用干涉方式测量晶圆基片的装置基本都为卧式测量结构,卧式测量结构在测量时,不能够还原晶圆实际光刻工作状态,因此测量结果精度并不高,并且成本也较高,而目前市面上还未有立式结构的半导体晶圆TTV干涉测试装置。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题和缺陷,本申请提供了一种立式半导体晶圆TTV干涉测试装置,在测量时,晶圆的状态更接近于实际光刻工作状态,因此测试结果更加准确,精度更高。
为了实现上述发明目的,本申请的技术方案如下:
一种立式半导体晶圆TTV干涉测试装置,包括激光扩束准直单元、干涉成像单元、干涉测量单元以及整机调试单元;所述激光扩束准直单元包括光源、第一反射镜、聚焦物镜、分光棱镜、第二反射镜以及准直物镜,第一反射镜位于光源的输出光方向上;所述干涉成像单元包括干涉成像镜头以及工业相机;所述干涉测量单元包括TF标准镜,TF标准镜水平设置;所述整机调试单元包括二维调节机构、晶圆托盘、晶圆工作台以及设置在晶圆工作台上的待测晶圆,晶圆托盘设置在二维调节机构上,晶圆工作台设置在晶圆托盘上;光源输出的光束依次经第一反射镜、聚焦物镜、分光棱镜、第二反射镜、准直物镜以及TF标准镜进入位于晶圆工作台上的待测晶圆上,经所述TF标准镜反射输出的标准光束和所述待测晶圆反射形成的测试光束沿原光路返回,在所述的分光棱镜形成干涉测试条纹,该干涉测试条纹透过所述分光棱镜并经所述干涉成像镜头后成像在所述工业相机的中心位置。
进一步地,所述工业相机为CCD相机。
进一步地,所述光源为激光器。
进一步地,所述晶圆工作台上设置有定位缺口,用于固定待测晶圆。
进一步地,所述晶圆工作台的表面面形小于60nm。
进一步地,所述TF标准镜的表面面形小于60nm。
进一步地,所述TF标准镜的口径为300mm。
进一步地,所述TF标准镜31为标准平面楔镜。
本申请的有益效果:
(1)本申请在测量时,能够还原晶圆实际工作状态,复现了整个光刻过程,
因此测试结果更加准确,精度更高,并且成本也更低。
(2)本申请中,晶圆工作台上设置有定位缺口,在测量时,能够对待测半导体晶圆重复定位,保证半导体晶圆的相对位置一致。
附图说明
本申请的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚,附图中:
图1为本申请整体结构示意图。
图中:
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