[实用新型]多芯片并联的氮化镓模块有效
申请号: | 202121549973.2 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN215578523U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 成浩;诸盼盼;赵冲;庄伟东 | 申请(专利权)人: | 南京银茂微电子制造有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/15;H01L25/065 |
代理公司: | 南京中擎科智知识产权代理事务所(普通合伙) 32549 | 代理人: | 黄智明 |
地址: | 211200 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 并联 氮化 模块 | ||
1.一种多芯片并联的氮化镓模块,包括导热底板和基板,其特征在于:所述基板上设置有若干个氮化镓芯片、用于连接的键合线、信号端子和功率端子,所述氮化镓模块包括有第一功率回路和第二功率回路,所述第一功率回路包括有相邻设置的氮化镓芯片SW1和氮化镓芯片SW3,所述第二功率回路包括有相邻设置的氮化镓芯片SW2和氮化镓芯片SW4,所述氮化镓芯片SW1和氮化镓芯片SW3的对应信号端子位于第一功率回路和第二功率回路之间,所述氮化镓芯片SW2和氮化镓芯片SW4的对应信号端子位于第二功率回路远离第一功率回路的一侧,所述氮化镓芯片通过键合线和基板连接至信号端子和功率端子。
2.根据权利要求1所述的多芯片并联的氮化镓模块,其特征在于:所述氮化镓芯片栅极连接至信号端子,所述功率端子包括有正极端子、负极端子和输出端子,所述正极端子和负极端子均包括有两个引脚;所述正极端子分两个引脚引入氮化镓芯片SW1和氮化镓芯片SW2的漏极,所述氮化镓芯片SW1和氮化镓芯片SW2的漏极的源极连接至输出端子;所述氮化镓芯片SW3和氮化镓芯片SW4的源极分别通过两个引脚引入负极端子,所述氮化镓芯片SW3和氮化镓芯片SW4的漏极连接至输出端子。
3.根据权利要求2所述的多芯片并联的氮化镓模块,其特征在于:各个所述氮化镓芯片栅极的朝向均相同。
4.根据权利要求3所述的多芯片并联的氮化镓模块,其特征在于:所述基板为氧化锆陶瓷基板。
5.根据权利要求4所述的多芯片并联的氮化镓模块,其特征在于:所述导热底板为铝碳化硅导热底板。
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