[实用新型]一种晶圆片表面清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种晶圆片表面清洗装置，包括顶板、底箱、导流管和盒体，所述底箱的内部底端中间处固定有内置箱，所述底箱的内部底端一侧固定有泵体，所述盒体固定在底箱的上端面中间处，且盒体的上端面通过滑轨转动安装有转动环，所述转动环的下端开口处固定有支撑架，所述底箱的上端面外侧固定有外檐，所述底箱的上端面两侧均开设有回流口，且回流口连接底箱内部顶端，所述外檐的上端面固定有壳体，且壳体的上端固定在顶板的下端面，所述顶板的下端面中间处固定有分液管，且分液管的下端面等距分布有雾化喷头，所述顶板的上端面中间处固定有加压箱。本实用新型具备防溅射，确保工作环境整洁和无死角清洁，确保清洁质量的优点。

技术领域

本实用新型涉及晶圆清洗装置技术领域，具体为一种晶圆片表面清洗装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。晶圆表面的冗余物种类比较多，小到几十纳米的微小颗粒，大到几百微米的灰尘，以及前一个工序留下的表面残留物。颗粒是可能引入的工序有刻蚀、抛光、清洗等。

现有的晶圆用清洗装置操作较为不便，在使用过程中为提高清洁质量，大多采用高压喷头进行，高压使液体迸射易造成工作环境不整洁，使用不便；且现有的晶圆清洁大多采用机械臂进行多方位清洁，这种清洁方式无法实现全方位无死角清洁，清洁的质量较低，且不便对清洁液体进行回收。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆片表面清洗装置，具备防溅射，确保工作环境整洁和无死角清洁，确保清洁质量的优点，解决现有装置清洁液体溅射影响工作环境和清洁质量低的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种晶圆片表面清洗装置，包括顶板、底箱、导流管和盒体，所述底箱的内部底端中间处固定有内置箱，所述底箱的内部底端一侧固定有泵体，所述盒体固定在底箱的上端面中间处，且盒体的上端面通过滑轨转动安装有转动环，所述转动环的下端开口处固定有支撑架，所述底箱的上端面外侧固定有外檐，所述底箱的上端面两侧均开设有回流口，且回流口连接底箱内部顶端，所述外檐的上端面固定有壳体，且壳体的上端固定在顶板的下端面，所述顶板的下端面中间处固定有分液管，且分液管的下端面等距分布有雾化喷头，所述顶板的上端面中间处固定有加压箱，所述导流管位于壳体的一侧。

优选的，所述底箱的下端面外侧固定有脚垫，所述脚垫共设有四个，且四个脚垫呈阵列分布，所述脚垫的下端固定有防滑垫。

优选的，所述内置箱的内部固定有驱动箱，且驱动箱的驱动轴与转动环内支撑架的中间处相连接。

优选的，所述支撑架的间隙内固定有网格，所述转动环的底端开口处与盒体的上端开口处相对应，所述盒体的两侧开口与回流口相对应。

优选的，所述回流口位于外檐和盒体之间，所述外檐的内侧呈倾斜设计，且外檐的高度与盒体高度相同，所述盒体内阵列分布有支撑柱。

优选的，所述导流管的一端贯穿加压箱内侧后与分液管相连接，且导流管背离加压箱的一端贯穿底箱后与泵体相连接。