[实用新型]一种负载短路保护自锁电路

说明书

本实用新型公开了一种负载短路保护自锁电路，包括负载供电的电源V1，该电源V1的负极接地，其正极接一电源开关S1A的一引脚，所述自锁电路还包括第一MOS晶体管Q3、第二MOS晶体管Q1、电阻R1、电容C1、电阻R2、第一万用表XMM1、第二万用表XMM2、电阻R5、电阻R6和切换开关S2。本实用新型自锁电路是利用MOS晶体管开关导通原理和电容电压不能突变原理进行设计，实现负载短路自锁保护功能。为电源领域或者测试探头领域提供一个更灵活，更简单而且成本更低的应用电路。

技术领域

本实用新型涉及测试探头或供电领域应用的电路，具体的说是涉及一种负载短路保护自锁电路。

背景技术

在测试探头或供电领域中，其所使用的电路板上的恒流源IC需要采用专用的恒流源IC来实现调节。进而用户在选择恒流源IC时，选择单一，造成恒流源IC的成本高。

因此，为了降低成本，需要设计一种电路以替代现有的恒流源IC的功能。

实用新型内容

针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种负载短路保护自锁电路，设计该自锁电路的目的是降低成本，满足低成本的应用场合。

为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：本实用新型的一种负载短路保护自锁电路，包括负载供电的电源V1，该电源V1的负极接地，其正极接一电源开关S1A的一引脚，所述自锁电路还包括：

第一MOS晶体管Q3，第一MOS晶体管Q3的源极接至所述电源V1的负极；

第二MOS晶体管Q1，第二MOS晶体管Q1的漏极连接至所述电源开关S1A的另一引脚；

电阻R1，所述电阻R1的一端连接所第二MOS晶体管Q1的漏极，其另一端连接至所述第一MOS晶体管Q3漏极以及所述第二MOS晶体管Q1的栅极；

电容C1，所述电容C1一端接至所述第二MOS晶体管Q1的漏极，其另一端接至所述第一MOS晶体管Q3的栅极；

电阻R2，所述电阻R2的一端接至所述第一MOS晶体管Q3的栅极，其另一端接至所述第二MOS晶体管Q1的源极；

第一万用表XMM1，正极接所述第二MOS晶体管Q1的源极；

第二万用表XMM2，正极与所述第一万用表XMM1的负极连接；

电阻R5和电阻R6，所述电阻R5和所述电阻R6连接且所述电阻R5和所述电阻R6之间的电路节点上接地，所述第二万用表XMM2的负极接至所述电阻R5的接地端和电阻R6的接地端；

切换开关S2，其固定端接至所述第一万用表XMM1的负极，其切换端是在电阻R5的非接地端和电阻R6的非接地端之间切换。

进一步的，所述电阻R6的阻值为零欧。

进一步的，所述电阻R5的阻值大于或等于1KΩ。

进一步的，所述第一MOS晶体管Q3采用2N6659型号的MOS晶体管。

进一步的，所述第二MOS晶体管Q1采用IRF9530型号的MOS晶体管。

进一步的，所述电源V1为DC直流电源。

进一步的，所述电阻R1的阻值大于或等于100KΩ。

进一步的，所述电阻R2的阻值大于或等于1KΩ。

进一步的，所述电容C1的大小是1μF。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：本实用新型自锁电路是利用MOS晶体管开关导通原理和电容电压不能突变原理进行设计，实现负载短路自锁保护功能。为电源领域或者测试探头领域提供一个更灵活，更简单而且成本更低的应用电路。