[实用新型]一种负载短路保护自锁电路有效
| 申请号： | 202121496118.X | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN214900156U | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 江沣;卢文登 | 申请（专利权）人： | 深圳市捷诚技术服务有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/02 | 分类号： | H02H3/02;H02H3/08 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 张小晶 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 负载 短路 保护 电路 | ||
1.一种负载短路保护自锁电路，包括负载供电的电源V1，该电源V1的负极接地，其正极接一电源开关S1A的一引脚，其特征在于，所述自锁电路还包括：
第一MOS晶体管Q3，第一MOS晶体管Q3的源极接至所述电源V1的负极；
第二MOS晶体管Q1，第二MOS晶体管Q1的漏极连接至所述电源开关S1A的另一引脚；
电阻R1，所述电阻R1的一端连接所第二MOS晶体管Q1的漏极，其另一端连接至所述第一MOS晶体管Q3漏极以及所述第二MOS晶体管Q1的栅极；
电容C1，所述电容C1一端接至所述第二MOS晶体管Q1的漏极，其另一端接至所述第一MOS晶体管Q3的栅极；
电阻R2，所述电阻R2的一端接至所述第一MOS晶体管Q3的栅极，其另一端接至所述第二MOS晶体管Q1的源极；
第一万用表XMM1，正极接所述第二MOS晶体管Q1的源极；
第二万用表XMM2，正极与所述第一万用表XMM1的负极连接；
电阻R5和电阻R6，所述电阻R5和所述电阻R6连接且所述电阻R5和所述电阻R6之间的电路节点上接地，所述第二万用表XMM2的负极接至所述电阻R5的接地端和电阻R6的接地端；
切换开关S2，其固定端接至所述第一万用表XMM1的负极，其切换端是在电阻R5的非接地端和电阻R6的非接地端之间切换。
2.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述电阻R6的阻值为零欧。
3.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述电阻R5的阻值大于或等于1KΩ。
4.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管Q3采用2N6659型号的MOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述第二MOS晶体管Q1采用IRF9530型号的MOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述电源V1为DC直流电源。
7.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述电阻R1的阻值大于或等于100KΩ。
8.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值大于或等于1KΩ。
9.根据权利要求1所述的一种负载短路保护自锁电路，其特征在于，所述电容C1的大小是1μF。
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