[实用新型]像素阵列基板有效
申请号: | 202121490248.2 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN215183965U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 许倩雯;郑圣谚;林弘哲;徐雅玲;黄俊儒;何昇儒;廖乾煌;锺岳宏;李珉泽;郭子维;侯舜龄;王奕筑;陈品妏;廖烝贤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;G02F1/1362;G09F9/33 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
一种像素阵列基板包括多条数据线、多条栅极线、多个像素结构、多条转接线及共用线。多条数据线在第一方向上排列。多条栅极线在第二方向上排列。多条转接线电性连接至多条栅极线,且在第一方向上排列。第一数据线具有第一部设置于第一像素结构的像素电极外,且位于第一像素结构的主动元件旁。在像素阵列基板的俯视图中,第一像素结构的主动元件具有相对的第一侧及第二侧,第一转接线设置于第一像素结构的主动元件的第一侧,且第一数据线的第一部及共用线设置于第一像素结构的主动元件的第二侧。
技术领域
本实用新型涉及一种像素阵列基板。
背景技术
随着显示科技的发达,人们对显示装置的需求,不再满足于高分辨率、高对比、广视角等光学特性,人们还期待显示装置具有优雅的外观。举例而言,人们还期待显示装置的边框窄,甚至无边框。
一般而言,显示装置包括设置于显示区的多个像素结构、设置于显示区的下方的数据驱动电路以及设置于显示区的左侧、右侧或左右两侧的栅极驱动电路。为减少显示装置的边框的左右两侧的宽度,可将栅极驱动电路与数据驱动电路均设置于显示区的下侧。当栅极驱动电路设置于显示区的下侧时,在水平方向上延伸的栅极线须通过在垂直方向上延伸的转接线方能电性连接至栅极驱动电路设置。然而,转接线是穿插在多个像素结构之间,转接线的信号变化容易影响像素电极的电压,不利于显示装置的显示品质。
实用新型内容
本实用新型提供一种像素阵列基板,特性佳。
本实用新型提供另一种像素阵列基板,特性佳。
本实用新型一实施例的像素阵列基板包括基底、多条数据线、多条栅极线、多个像素结构、多条转接线以及共用线。多条数据线设置于基底上,且在第一方向上排列。多条栅极线设置于基底上,且在第二方向上排列,其中第一方向与第二方向交错。多个像素结构设置于基底上,其中每一像素结构包括主动元件及电性连接至主动元件的像素电极,且主动元件电性连接至对应的数据线及对应的栅极线。多条转接线设置于基底上,电性连接至多条栅极线,且在第一方向上排列。共用线设置于基底上,其中多条数据线及共用线在第一方向上排列。多个像素结构包括第一像素结构,多条数据线包括电性连接至第一像素结构的第一数据线,且多条转接线包括第一转接线。第一数据线具有第一部,设置于第一像素结构的像素电极外,且位于第一像素结构的主动元件旁。每一像素结构具有相对的第一侧及第二侧。在像素阵列基板的俯视图中,第一转接线设置于第一像素结构的主动元件的第一侧,且第一数据线的第一部及共用线设置于第一像素结构的主动元件的第二侧。
本实用新型一实施例的像素阵列基板包括基底、多条数据线、多条栅极线、多个像素结构及多条转接线。多条数据线设置于基底上,且在第一方向上排列。多条栅极线设置于基底上,且在第二方向上排列,其中第一方向与第二方向交错。多个像素结构设置于基底上,其中每一像素结构包括主动元件及电性连接至主动元件的像素电极,且主动元件电性连接至对应的数据线及对应的栅极线。多条转接线设置于基底上,电性连接至多条栅极线,且在第一方向上排列。多条转接线包括第一转接线。多个像素结构包括第一像素结构及第二像素结构,分别设置于第一转接线的相对两侧。多条数据线包括第一数据线及第二数据线,分别电性连接至第一像素结构及第二像素结构。第一数据线具有第一部,设置于第一像素结构的像素电极外,且位于第一像素结构的主动元件旁。第二数据线具有第二部,设置于第二像素结构的像素电极外,且位于第二像素结构的主动元件旁。在像素阵列基板的俯视图中,第一数据线的第一部设置于第一像素结构的主动元件的第二侧,且第二数据线的第一部设置于第二像素结构的主动元件的第一侧。
在本实用新型的一实施例中,在上述像素阵列基板的俯视图中,第一数据线的第一部与第一转接线在第一方向上具有第一距离,第一数据线的第一部与共用线在第一方向上具有第二距离,且第一距离大于第二距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的