[实用新型]像素阵列基板有效
申请号: | 202121490248.2 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN215183965U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 许倩雯;郑圣谚;林弘哲;徐雅玲;黄俊儒;何昇儒;廖乾煌;锺岳宏;李珉泽;郭子维;侯舜龄;王奕筑;陈品妏;廖烝贤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;G02F1/1362;G09F9/33 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,其特征在于,包括:
一基底;
多条数据线,设置于该基底上,且在一第一方向上排列;
多条栅极线,设置于该基底上,且在一第二方向上排列,其中该第一方向与该第二方向交错;
多个像素结构,设置于该基底上,其中每一该像素结构包括一主动元件及电性连接至该主动元件的一像素电极,且该主动元件电性连接至对应的一该数据线及对应的一该栅极线;
多条转接线,设置于该基底上,电性连接至该些栅极线,且在该第一方向上排列;以及
一共用线,设置于该基底上,其中该些数据线及该共用线在该第一方向上排列;
其中,该些像素结构包括一第一像素结构,该些数据线包括电性连接至该第一像素结构的一第一数据线,且该些转接线包括一第一转接线;
该第一数据线具有一第一部,设置于该第一像素结构的该像素电极外,且位于该第一像素结构的该主动元件旁;
该些像素结构的每一者具有相对的一第一侧及一第二侧;
在该像素阵列基板的俯视图中,该第一转接线设置于该第一像素结构的该主动元件的该第一侧,且该第一数据线的该第一部及该共用线设置于该第一像素结构的该主动元件的该第二侧。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,在该像素阵列基板的俯视图中,该第一数据线的该第一部与该第一转接线在该第一方向上具有一第一距离,该第一数据线的该第一部与该共用线在该第一方向上具有一第二距离,且该第一距离大于该第二距离。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该些像素结构还包括一第二像素结构,该第一像素结构与该第二像素结构相邻设置且在该第一方向上排列;该些数据线还包括电性连接至该第二像素结构的一第二数据线;该些转接线还包括一第二转接线;该第二数据线具有一第一部,设置于该第二像素结构的该像素电极外,且位于该第二像素结构的该主动元件旁;在该像素阵列基板的俯视图中,该共用线及该第二数据线的该第一部设置于该第二像素结构的该主动元件的该第一侧,且该第二转接线设置于该第二像素结构的该主动元件的该第二侧。
4.如权利要求3所述的像素阵列基板,其特征在于,在该像素阵列基板的俯视图中,该第二数据线的该第一部与该共用线在该第一方向上具有一第三距离,该第二数据线的该第一部与该第二转接线在该第一方向上具有一第四距离,且该第四距离大于该第三距离。
5.如权利要求3所述的像素阵列基板,其特征在于,该些像素结构还包括一第三像素结构,该第一像素结构、该第二像素结构及该第三像素结构在该第一方向上按序排列;该些数据线还包括电性连接至该第三像素结构的一第三数据线;该些转接线还包括一第三转接线;该第三数据线具有一第一部,设置于该第三像素结构的该像素电极外,且位于该第三像素结构的该主动元件旁;
在该像素阵列基板的俯视图中,该第二转接线及该第三数据线的该第一部设置于该第三像素结构的该主动元件的该第一侧,且该第三转接线设置于该第三像素结构的该主动元件的该第二侧;
或者,在该像素阵列基板的俯视图中,该第二转接线设置于该第三像素结构的该主动元件的该第一侧,且该第三数据线的该第一部及该第三转接线设置于该第三像素结构的该主动元件的该第二侧。
6.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,还包括:
一透明导电层,其中一该数据线、该透明导电层及一该像素结构的一该像素电极在垂直于该基底的一第三方向上堆叠,且该透明导电层设置于该数据线与该像素结构的该像素电极之间;
该透明导电层具有多个开口,重叠于该像素结构的该像素电极。
7.如权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,在该像素阵列基板的俯视图中,该透明导电层的该些开口位于该数据线的相对两侧。
8.如权利要求6所述的像素阵列基板,其特征在于,该共用线、该透明导电层及该像素结构的该像素电极在垂直于该基底的该第三方向上堆叠,且该透明导电层设置于该共用线与该像素结构的该像素电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的