[实用新型]一种WCVD半导体设备的气体喷淋头

说明书

本实用新型涉及气体喷淋头技术领域，具体为一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，包括喷头、第一缓冲腔、限流框和导气管，所述喷头内部的顶端设置有第一缓冲腔，且第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，所述喷头顶端的中间位置固定连接有限流框，且限流框的一侧固定设置有第一滑槽，并且限流框顶端的一侧固定设置有第二滑槽。本实用新型通过固定块一侧的电动推杆推动第一滑块，可以使第一滑块在限流框上的第一滑槽内滑动，并带动旋转件在限流框的内部进行旋转，同时旋转件的顶端设置有活动块，通过旋转件旋转，可以使活动块底端的第三滑块在第三滑槽上滑动，并使活动块顶端的第二滑块在第二滑槽上滑动，通过活动块的移动，可以调节输气孔的大小。

技术领域

本实用新型涉及气体喷淋头技术领域，具体为一种WCVD半导体设备的气体喷淋头。

背景技术

随着半导体晶片尺寸越来越大，并且半导体器件尺寸越来越小，单晶片加工已成为主流，为了注入沉积处理，蚀刻处理和热处理的各种处理期间获得在具有大直径的整个晶片上的工艺均匀性，通常使用喷淋头将处理气体注入处理腔。

目前使用的WCVD半导体设备的气体喷淋头，气体流速不均匀，降低使用效率，气流量无法调节，无法更具不同情况进行调整。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，包括喷头、第一缓冲腔、限流框和导气管，所述喷头内部的顶端设置有第一缓冲腔，且第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，所述喷头顶端的中间位置固定连接有限流框，且限流框的一侧固定设置有第一滑槽，并且限流框顶端的一侧固定设置有第二滑槽，所述限流框的内部活动连接有旋转件，且旋转件的一侧固定设置有第一滑块，并且第一滑块的外部滑动连接有第一滑槽，所述旋转件的顶端固定设置有第三滑槽。

优选的，所述喷头内部的底端设置有第二缓冲腔，且第二缓冲腔的底端设置有第二气孔。

优选的，所述限流框的内部滑动连接有活动块，且活动块的顶端固定设置有第二滑块，并且第二滑块的外部滑动连接有第二滑槽。

优选的，所述活动块的底端固定连接有第三滑块，且第三滑块的外部滑动连接有第三滑槽。

优选的，所述喷头顶端的一侧固定连接有固定块，且固定块的一侧固定安装有电动推杆，并且电动推杆的一侧固定连接有第一滑块。

优选的，所述限流框的顶端固定连接有储气腔，且储气腔的顶端固定连接有导气管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1.该一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，气体通过导气管进入储气腔的内部，并通过储气腔输入喷头内部的第一缓冲腔内，并在第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，并且第一气孔设置为上宽下窄结构，使气体通过第一缓冲腔进入第二缓冲腔时流速增加，压力下降，均匀输出气体至第二缓冲腔的内部，并通过第二缓冲腔的底端设置有第二气孔，可以进行二次降压，提高喷头输出的效率。

2.该一种WCVD半导体设备的气体喷淋头，通过在储气腔与喷头之间设置有限流框，可以调节气流量的多少，以应对不同的喷淋情况，需要进行调节时，通过固定块一侧的电动推杆推动第一滑块，可以使第一滑块在限流框上的第一滑槽内滑动，并带动旋转件在限流框的内部进行旋转，同时旋转件的顶端设置有活动块，通过旋转件旋转，可以使活动块底端的第三滑块在第三滑槽上滑动，并使活动块顶端的第二滑块在第二滑槽上滑动，通过活动块的移动，可以调节输气孔的大小，以调节气流量的多少。

附图说明

图1为本实用新型的正视结构示意图；

图2为本实用新型的仰视结构示意图；