[实用新型]扇出型封装结构

说明书

本实用新型提供一种扇出型封装结构，所述扇出型封装结构包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。通过在重布线层上设置假片，并将其与金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，具体地涉及一种扇出型封装结构。

背景技术

在扇出型封装中，其通常具有较大的芯片长宽比、较厚重的重布线层堆叠结构和较少的塑封料选项，这导致了扇出型封装结构的热管理能力较差，为了加强散热会将塑封层减薄使芯片非功能面外露，但在上述几个结构特征的共同作用下，不同材料间的热膨胀差异会进一步造成的扇出型封装结构出现翘曲的情况。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种扇出型封装结构。

本实用新型提供一种扇出型封装结构，其包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层，所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层，所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片，所述假片与所述芯片之间绝缘设置，所述金属布线层与所述假片之间接触设置。

作为本实用新型的进一步改进，相邻于所述假片的第一介电层内设置有至少一个位于所述假片下方的第一通孔，分布于所述第一介电层内的第一金属布线层通过所述第一通孔连接于所述假片。

作为本实用新型的进一步改进，所述假片包括设置于其下表面的绝缘层，所述第一金属布线层连接于所述绝缘层。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片功能面上包括多个焊盘和分布于所述焊盘之间的绝缘区，所述焊盘电性连接于所述第一金属布线层。所述第一介电层内设置有至少一个位于所述绝缘区下方的第二通孔，所述金属布线层通过所述第二通孔连接于所述绝缘区。

作为本实用新型的进一步改进，还包括塑封层，包覆所述芯片和所述假片，所述第一介电层内设置有至少一个位于所述塑封层区域下方的第三通孔，所述金属布线层通过所述第三通孔连接于所述塑封层。

作为本实用新型的进一步改进，所述塑封层至少完全包覆所述假片的上表面。

作为本实用新型的进一步改进，所述假片上表面设置有散热层，所述塑封层至少包覆所述散热层侧面。

作为本实用新型的进一步改进，所述假片上表面设置有向内凹陷的空腔，所述塑封层至少填充于所述空腔内。

作为本实用新型的进一步改进，所述空腔表面设置有一层散热层。

作为本实用新型的进一步改进，所述散热层至少厚于所述金属布线层。

作为本实用新型的进一步改进，所述假片和所述芯片形成等效长宽，该等效长宽与所述扇出型封装结构的长宽形成有效相对长宽比范围为0.5～1.5，或所述芯片和所述假片侧面X方向的塑封层面积与Y方向的塑封层面积比范围为 0.5～1.5。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在重布线层上设置假片，并将相邻于假片的第一层重布线层内的金属布线层与其相接，使得假片不仅能够起到结构支撑、抑制翘曲的作用，还能够形成连续的散热通道，提高扇出型封装结构的热管理能力

附图说明

图1是本实用新型实施例一中的扇出型封装结构示意图。

图2是本实用新型实施例一中的扇出型封装结构俯视图。

图3是本实用新型实施例二中的扇出型封装结构示意图。

图4是本实用新型实施例二中的扇出型封装结构俯视图。