[实用新型]扇出型封装结构有效

专利信息
申请号: 202121483645.7 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN215183917U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 林耀剑;左健;杨丹凤;高英华;刘硕 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 沈晓敏
地址: 214430 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种扇出型封装结构,其包括至少一个芯片和设于芯片功能面侧的至少一层重布线层,所述重布线层包括介电层和分布于所述介电层内的金属布线层,其特征在于:

所述扇出型封装结构还包括至少一个设置于所述重布线层上的假片,所述假片与所述芯片之间绝缘设置,所述金属布线层与所述假片之间接触设置。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,相邻于所述假片的第一介电层内设置有至少一个位于所述假片下方的第一通孔,分布于所述第一介电层内的第一金属布线层通过所述第一通孔连接于所述假片。

3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述假片包括设置于其下表面的绝缘层,所述第一金属布线层连接于所述绝缘层。

4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述芯片功能面上包括多个焊盘和分布于所述焊盘之间的绝缘区,所述焊盘电性连接于所述第一金属布线层,所述第一介电层内设置有至少一个位于所述绝缘区下方的第二通孔,所述金属布线层通过所述第二通孔连接于所述绝缘区。

5.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,还包括塑封层,包覆所述芯片和所述假片,所述第一介电层内设置有至少一个位于所述塑封层区域下方的第三通孔,所述金属布线层通过所述第三通孔连接于所述塑封层。

6.根据权利要求5所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述塑封层至少完全包覆所述假片的上表面。

7.根据权利要求5所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述假片上表面设置有散热层,所述塑封层至少包覆所述散热层的侧面。

8.根据权利要求5所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述假片上表面设置有向内凹陷的空腔,所述塑封层至少填充于所述空腔内。

9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述空腔表面设置有一层散热层。

10.根据权利要求7或9所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述散热层至少厚于所述金属布线层。

11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述假片和所述芯片形成等效长宽,所述等效长宽与所述扇出型封装结构的长宽形成有效相对长宽比范围为0.5~1.5,或所述芯片和所述假片侧面X方向的塑封层面积与Y方向的塑封层面积比范围为0.5~1.5。

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