[实用新型]一种抑制分层及树脂飞边的载片台有效
申请号: | 202121466866.3 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN215069923U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 荣文超 | 申请(专利权)人: | 无锡通芝微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 冯阳 |
地址: | 214028 江苏省无锡市高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 分层 树脂 载片台 | ||
一种抑制分层及树脂飞边的载片台,解决了现有的引线框架载片台有分层风险,载片台在树脂体热胀冷缩时,无法有效锁住树脂体,易发生分层的风险,载片台的散热性差的问题,其包括载片台以及用于塑封的树脂体,还包括裸露面和螺纹孔,载片台两端的中部对称设置有第一凸块,载片台的边缘处均匀旋接有若干个第二凸块,第二凸块的一端设置有上翘块,载片台的底端开设有压溃槽,载片台的底端裸露面开设有若干个凹槽,本实用新型结构新颖,构思巧妙,可在树脂体热胀冷缩时在上下左右各个方向锁住树脂体不让其移动,通过设置的压溃槽一方面用来定位,另一方面用来防止树脂体飞边渗入到载片台裸露面,增大散热面积,保证散热效果。
技术领域
本实用新型涉及载片台,具体为一种抑制分层及树脂飞边的载片台。
背景技术
现有的引线框架载片台有分层风险,对于裸露于树脂体外且面积又大的载片台很难达到高可靠性要求,载片台在树脂体热胀冷缩时,无法有效锁住树脂体,易发生分层的风险,由于加工工艺原因,载片台边缘其实是圆弧形而非直角,故在塑封时树脂会沿着圆弧面渗入载片台表面即裸露面,造成实际裸露面积减小,进而降低载片台的散热性。
实用新型内容
针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本实用新型提供一种抑制分层及树脂飞边的载片台,有效的解决了现有的引线框架载片台有分层风险,对于裸露于树脂体外且面积又大的载片台很难达到高可靠性要求,载片台在树脂体热胀冷缩时,无法有效锁住树脂体,易发生分层的风险,由于加工工艺原因,载片台边缘其实是圆弧形而非直角,故在塑封时树脂会沿着圆弧面渗入载片台表面即裸露面,造成实际裸露面积减小,进而降低载片台的散热性的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:本实用新型包括载片台以及用于塑封的树脂体,还包括裸露面、第一凸块、第二凸块、上翘块、压溃槽、凹槽、螺杆和螺纹孔,载片台两端的中部对称设置有第一凸块,载片台的边缘处均匀旋接有若干个第二凸块,第二凸块的一端设置有上翘块,载片台的底端开设有压溃槽,载片台的底端裸露面开设有若干个凹槽,第二凸块一侧的中部设置有螺杆,载片台对应螺杆位置处开设有螺纹孔。
优选的,所述载片台的底面设置有裸露面。
优选的,所述压溃槽开设的数量至少为一圈。
优选的,所述上翘块的上翘角度在0°-90°。
有益效果:本实用新型安装时,第二凸块上的螺杆对应着载片台上的螺纹孔,将第二凸块分别旋接在载片台的边缘处,即可完成第二凸块和上翘块的安装,使用时,通过设置的第一凸块、第二凸块和上翘块在树脂体热胀冷缩时在上下左右各个方向锁住树脂体不让其移动,减小与载片台发生分层的风险,同时设置在载片台背面即裸露面的一圈压溃槽,一方面可以用来锁住树脂体,另一方面在使用的同时能有效防止树脂体飞边渗入到载片台裸露面,增加裸露面积,提高载片台的散热性,保证载片台的使用效果,开设的凹槽使得载片台底端的裸露面面积变大,进而辅助提高散热性能,本实用新型结构新颖,构思巧妙,可在树脂体热胀冷缩时在上下左右各个方向锁住树脂体不让其移动,通过设置的压溃槽一方面用来定位,另一方面用来防止树脂体飞边渗入到载片台裸露面,增大散热面积,保证散热效果。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1是本实用新型整体结构示意图;
图2是本实用新型载片台三维结构示意图;
图3是本实用新型俯视图;
图4是本实用新型仰视图;
图5是本实用新型第二凸块三维结构示意图;
图中标号:1、载片台;2、树脂体;3、裸露面;4、第一凸块;5、第二凸块;6、上翘块;7、压溃槽;8、凹槽;9、螺杆;10、螺纹孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造