[实用新型]一种用于机载的滤波及浪涌抑制的电路系统

权利要求书

1.一种用于机载的滤波及浪涌抑制的电路系统，其特征在于，所述电路系统包括：磁集成滤波电路和浪涌抑制电路；

所述磁集成滤波电路输出端与所述浪涌抑制电路输入端连接；

所述磁集成滤波电路包括：

X电容C1，磁集成共模和差模一体电感L1，Y电容CY1和CY2；

所述X电容C1的两端分别与电感L1的输入端1、L1的输入端2连接，所述X电容C1与所述电感L1构成低通滤波电路；

所述电感L1的输出端3通过Y电容CY1接地，所述电感L1的输出端4通过Y电容CY2接地，所述Y电容CY1与所述Y电容CY2串联。

2.根据权利要求1所述的电路系统，其特征在于，

所述浪涌抑制电路包括：

控制芯片，控制芯片的第1管脚及第3管脚分别与磁集成滤波电路的输出端连接；

所述控制芯片的第1管脚与MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的栅极与MOS管Q2的漏极连接，所述MOS管Q2的源极与所述控制芯片的第3管脚连接；

电阻R1的两端分别与所述MOS管Q2的漏极和源极连接；

电容C1两端分别与所述MOS管Q2的漏极和源极连接；

所述MOS管Q1的源极与二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极通过电容C3与控制芯片的第3管脚连接；

所述MOS管Q2的栅极通过电容C4与控制芯片的第三管脚连接；

所述二极管D1的负极与二极管D2的正极连接，所述二极管D2的负极与所述MOS管Q1的栅极连接；

电阻R2的两端分别与所述MOS管Q2的栅极和源极连接；

电容C2两端分别与所述MOS管Q2的漏极和源极连接。

3.根据权利要求1所述的电路系统，其特征在于，还包括壳体，

所述磁集成滤波电路和浪涌抑制电路设置在所述壳体内。

4.根据权利要求1所述的电路系统，其特征在于，所述磁集成共模差模一体电感L1包括第一边柱、第二边柱、第三边柱、以及第四边柱；所述第一边柱与所述第二边柱相对，所述第二边柱与所述第四边柱相对；

所述第一边柱与所述第三边柱上分别缠绕线圈；

所述第二边柱上设置有第一中柱，所述第四边柱上设置有第二中柱，所述第一中柱与所述第二中柱相对，所述第一中柱与所述第二中柱之间具有预设的距离。

5.根据权利要求4所述的电路系统，其特征在于，所述第一边柱、第二边柱、第三边柱、以及第四边柱为一体结构，所述第一边柱、第二边柱、第三边柱、以及第四边柱为铁氧体磁芯DMR95。

6.根据权利要求4所述的电路系统，其特征在于，所述第一边柱的直径为A，所述第二边柱的直径为A，所述第三边柱的直径为A，所述第四边柱的直径为A；

所述第一中柱的直径为B，所述第二中柱的直径为B；

所述第一中柱与所述第二中柱之间具有预设的距离为C；

其中，2A＝B，5C＝A。

7.根据权利要求2所述的电路系统，其特征在于，所述电容C1容值是100nF，电容C2容值是820pf，电容C3容值是1nF，所述电容C4容值是1nF。

8.根据权利要求2所述的电路系统，其特征在于，所述电阻R1阻值是120KΩ，电阻R2阻值是220KΩ。

9.根据权利要求2所述的电路系统，其特征在于，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2都采用ST10L35NF。

10.根据权利要求3所述的电路系统，其特征在于，所述壳体尺寸为标准半砖尺寸，所述半砖尺寸为57.9mm*55.9mm*12.7mm。