[实用新型]一种多晶硅还原炉电源用升压变压器

说明书

本实用新型涉及一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，包括原边绕组、检测线圈、磁芯、多个副边绕组，所述磁芯包括两个磁芯柱；所述原边绕组绕制在一个磁芯柱的外侧，或串联绕制在两个磁芯柱的外侧；多个所述副边绕组绕制在两个磁芯柱的外侧，或绕制在原边绕组外侧；所述检测线圈绕制在一个磁芯柱外侧，或串联绕制在两个磁芯柱的外侧，所述检测线圈位于原边绕组与磁芯柱之间，或位于原边绕组与副边绕组之间。所述原边绕组或/和副边绕组的每匝线圈电压取值范围为8.5V～10V；所述升压变压器磁芯的磁通密度B取值范围为0.8T～1.3T。本实用新型能准确检测升压变压器副边输出电压，并且能够避免升压变压器磁芯饱和且空载过流的问题。

技术领域

本实用新型涉及变压器技术领域，特别涉及一种多晶硅还原炉电源用升压变压器。

背景技术

在西门子改良法制备多晶硅过程中，通常采用晶闸管调压后经升压变压器输出高电压击穿硅芯，再经晶闸管调压和升压变压器输出多个电压等级的电压对硅芯持续加热，可参见图1所示的电路原理图。由于晶闸管调压后的电压为非正弦波，以及硅芯阻值变化和升压变压器的阻抗角变化，导致升压变压器的副边输出电压与其原边输入电压不成线性比例关系，因此若依然采用传统的变压器原边电压检测方式则难以满足其副边输出电压的准确检测。此外，由于硅芯击穿前升压变压器的电阻值无穷大，当硅芯击穿时电阻值会发生快速的变化，使得升压变压器出现直流偏磁，造成升压变压器磁芯饱和且空载过流。

而现有技术中，为实现对升压变压器副边输出电压的准确检测，通常在副边线路上设置电压电压互感器，并在互感器检测回路上串联高压快融后实施电压检测；为解决升压变压器空载过流，通常在原边并接大功率电阻。但是这些方式存在器件多、成本高，以及大功率电阻发热大等不足之处。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决两个问题，第一准确检测升压变压器副边输出电压，第二避免升压变压器磁芯饱和且空载过流的问题，提供一种多晶硅还原炉电源用升压变压器。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型实施例提供了以下技术方案：

一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，包括原边绕组、检测线圈、磁芯、多个副边绕组，所述磁芯包括两个磁芯柱；其中，

所述原边绕组绕制在一个磁芯柱的外侧，或串联绕制在两个磁芯柱的外侧；多个所述副边绕组绕制在两个磁芯柱的外侧；

所述检测线圈绕制在一个磁芯柱外侧，或串联绕制在两个磁芯柱的外侧，所述检测线圈位于原边绕组与磁芯柱之间，或位于原边绕组与副边绕组之间。

所述原边绕组或/和副边绕组的每匝线圈电压取值范围为8.5V～10V；

所述升压变压器的磁芯的磁通密度B取值范围为0.8～1.3T。

在上述方案中，所述检测线圈绕制在磁芯柱外侧时，可以绕制在原边绕组的内侧（即磁芯柱与原边绕组之间），或绕制在原边绕组的外侧（即原边绕组与副边绕组之间），前提是检测线圈与磁芯柱、原边绕组、副边绕组都相互绝缘。通过检测线圈实现升压变压器副边输出电压的准确检测，取代高压测高压互感器检测，还可以避免升压变压器空载时出现直流偏磁过流的情况。

所述磁芯柱采用硅钢片组合而成，所述硅钢片为无取向硅钢片。

本方案采用低漏感、高磁激电阻性分量，以及低磁激磁电感分量参数设置的磁芯柱，使升压变压器实现高阻抗、低漏感，可避免磁芯饱和与负载空载过流的问题。

所述原边绕组依次绕制于两个磁芯柱的外侧，且两个磁芯柱外侧绕制的原边绕组为串联连接；所述原边绕组的两个接线端分别从两个磁芯柱外侧引出。