[实用新型]一种多晶硅还原炉电源用升压变压器

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：包括原边绕组、检测线圈、磁芯、多个副边绕组，所述磁芯包括两个磁芯柱；其中，

所述原边绕组绕制在一个磁芯柱的外侧，或串联绕制在两个磁芯柱的外侧；多个所述副边绕组绕制在两个磁芯柱的外侧；

所述检测线圈绕制在一个磁芯柱外侧，或串联绕制在两个磁芯柱的外侧，所述检测线圈位于原边绕组与磁芯柱之间，或位于原边绕组与副边绕组之间。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：所述原边绕组或/和副边绕组的每匝线圈电压取值范围为8.5V～10V；所述升压变压器的磁芯的磁通密度B取值范围为0.8T～1.3T。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：所述磁芯柱采用硅钢片组合而成，所述硅钢片为无取向硅钢片。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：所述原边绕组依次绕制于两个磁芯柱的外侧，且两个磁芯柱外侧绕制的原边绕组为串联连接；所述原边绕组的两个接线端分别从两个磁芯柱外侧引出。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：多个所述副边绕组包括两个低压绕组、两个中压绕组，当所述原边绕组串联绕制在两个磁芯柱的外侧时，其中，一个低压绕组与一个中压绕组呈包裹式的绕制在一个磁芯柱外侧，或绕制在一个磁芯柱上原边绕组的外侧；另一低压绕组与另一个中压绕组呈包裹式的绕制在另一个磁芯柱外侧，或绕制在另一个磁芯柱上原边绕组的外侧。

6.根据权利要求5所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：多个所述副边绕组形成六个接线端，包括两个高压接线端、四个低压接线端；其中，两个磁芯柱上分别绕制的两个中压绕组串联连接后形成一个高压绕组，同时形成该高压绕组的两个高压接线端；两个磁芯柱上分别绕制的两个低压绕组同时形成两个低压绕组的四个低压接线端。

7.根据权利要求6所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：形成的六个接线端通过外部可控制开关或短接导体实施多个副边绕组的串并联组合，从而实现多种额定输出电压或多种额定输出电流的组合。

8.根据权利要求6所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：所述高压绕组的线径小于所述低压绕组的线径。

9.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：所述原边绕组的输入电压范围为200V～3000V；所述副边绕组的输出电压范围为3000～25000V。

10.根据权利要求9所述的一种多晶硅还原炉电源用升压变压器，其特征在于：所述副边绕组的输出电压为12000V。