[实用新型]一种制备籽晶的装置

说明书

本申请公开了一种制备籽晶的装置，属于晶体生长技术领域。该装置包括：处理腔室，所述处理腔室内设置有坩埚；装载单元，所述装载单元包括至少两个装载件，所述装载件用于装载籽晶；每个所述装载件均能够调节与所述坩埚的相对位置，以使其中一个所述籽晶的生长面与所述坩埚内的物料相对；所述装载单元用于将待处理的籽晶运送至所述坩埚内的物料上方，并将处理完成的籽晶从所述坩埚内的物料上方移走。该装置可以实现籽晶的连续制备，大大提高了效率。

技术领域

本申请涉及一种制备籽晶的装置，属于晶体生长技术领域。

背景技术

碳化硅晶体作为重要的第三代半导体材料之一，在高温、高频、高功率、抗辐射等方面具有优秀的性能，碳化硅基器件已经在军事、民事、航空航天等多领域得到了广泛应用，是各国科学技术研究的重点领域。

目前，生长碳化硅晶体采用最广泛的是物理气相传输法，其次还有液相法以及化学气相传输方法等。采用上述生长方法来制备高品质的碳化硅衬底时，都离不开高质量的碳化硅籽晶，即在籽晶上同质外延生长碳化硅晶体。由于籽晶为后续的晶体生长提供一个生长中心，籽晶中存在的问题往往会遗传到后续生长的晶体中，因此籽晶的质量、尺寸对生长晶体的质量、尺寸有着至关重要的影响。

而碳化硅籽晶在加工过程中难免存在加工损伤缺陷或生长面污染等，因此在长晶前，通常需要对籽晶进一步处理，例如籽晶生长面的台阶修复和重构、刻蚀或进一步图案化等。

然而，目前对籽晶的处理过程大多是将籽晶放在籽晶托上，并连接在坩埚盖上进行处理，处理完成后将籽晶取下，然后更换待处理的籽晶，继续进行处理。由于籽晶的处理过程多为高温过程，因此更换籽晶的过程需要等坩埚降温后才能进行，因此效率低下，不能实现籽晶的连续处理。

实用新型内容

为了解决上述问题，本申请提出了一种制备籽晶的装置，该装置可以实现籽晶的连续制备，大大提高了效率。

根据本申请的一个方面，一种制备籽晶的装置，其包括：

处理腔室，所述处理腔室内设置有坩埚；

装载单元，所述装载单元包括至少两个装载件，所述装载件用于装载籽晶；每个所述装载件均能够调节与所述坩埚的相对位置，以使其中一个所述籽晶的生长面与所述坩埚内的物料相对；

所述装载单元用于将待处理的籽晶运送至所述坩埚内的物料上方，并将处理完成的籽晶从所述坩埚内的物料上方移走。

可选地，所述装载单元包括转盘，每个所述装载件均与所述转盘相连；

所述转盘用于将待处理的籽晶移至所述坩埚内的物料上方，并将处理完成的籽晶从所述坩埚内的物料上方移走。

可选地，所述装载件包括连接臂和装载托，所述装载托的结构与所述籽晶的形状适配，所述装载托设置有开口，且沿所述装载托周向的内部开设有凹槽；

所述籽晶通过所述开口进入所述凹槽，并卡合在所述凹槽内。

可选地，还包括升降单元，所述升降单元设置在所述坩埚下方，用于调节所述坩埚与所述籽晶生长面之间的距离。

可选地，所述装载单元还包括储料单元，所述储料单元设置在所述处理腔室内，用于存储待处理的所述籽晶。

可选地，所述储料单元包括储料仓和机械手，所述储料仓内沿轴向设置有至少两个储料架，所述储料架用于存储待处理的籽晶，所述机械手用于将待处理的所述籽晶移动至所述装载件上。

可选地，还包括冷却腔室，所述冷却腔室与所述处理腔室之间设置有分隔板，所述分隔板上设置有条状开口；

所述装载件带动处理完成的所述籽晶，经过所述条状开口后，进入所述冷却腔室。

可选地，所述冷却腔室内设置有收料单元，所述收料单元内设置有至少两个收料仓；