[实用新型]一种NANOSIM卡卡座绝缘结构

权利要求书

1.一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：包括SIM卡底座(1)，所述SIM卡底座(1)呈矩形实心体，且SIM卡底座(1)上开设有焊脚槽(2)；所述焊脚槽(2)的内槽面嵌设有导电框体片(3)，且导电框体片(3)一端与焊脚(4)相连，而导电框体片(3)另一端贯穿SIM卡底座(1)内腔并与端子(5)电连；所述端子(5)嵌设于SIM卡底座(1)前框体内，且SIM卡底座(1)前框体两侧设置卡合道(6)，且卡合道(6)上开设有卡合槽(7)；所述卡合槽(7)与卡合条(8)相卡合，且卡合条(8)对称设置于盖板(9)的边缘处。

2.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述SIM卡底座(1)和盖板(9)包括耐高温层、第一弹性层、绝缘层和第二弹性层，所述耐高温层相连有包覆于第一弹性层、绝缘层和第二弹性层，且第一弹性层相连有绝缘层，绝缘层相连有第二弹性层。

3.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述卡合道(6)的两端均设置有防滑动挡块(10)，且防滑动挡块(10)的宽度宽于卡合条与卡合道的宽度。

4.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述卡合槽(7)上设置有插接块(11)，且插接块(11)插接于插接通槽(12)内，插接通槽(12)开设于卡合条(8)上。

5.根据权利要求4所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述插接块(11)设置为四块，且每两块插接块(11)为一对，一对插接块(11)沿两侧的卡合槽(7)呈对称设置。

6.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述焊脚(4)的接触点高于焊脚槽(2)的槽高，并且焊脚(4)的接触点伸入至SIM卡槽(13)内。

7.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述盖板(9)上开设有散热通槽，且散热通槽正对于焊脚(4)与导电框体片(3)的连接位置处。

8.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述卡合条(8)上设置有辅助起拉条(14)，且辅助起拉条(14)为一对，一对辅助起拉条(14)沿两侧卡合条(8)呈对称设置。

9.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述焊脚槽(2)两侧设置有SIM卡限位卡片(15)，且SIM卡限位卡片(15)为两对，每一对SIM卡限位卡片(15)呈对称设置。

10.根据权利要求1所述的一种NANOSIM卡卡座绝缘结构，其特征在于：所述盖板(9)的两端开设有敞口(16)，且敞口(16)的正下方为焊脚(4)的接触点。