[实用新型]双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备

说明书

本公开提供了一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备，该阵列基板包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同。本公开通过调整阵列基板内每个像素组中各个子像素区域的相关结构来实现像素组中所有子像素区域对应的第一电容和第二电容的和值均相同，进而保证子像素区域因栅线跳变电压导致像素电压浮动的程度相同，使所有子像素区域的亮度变化相同，避免摇头纹的产生，达到更好的显示效果，提升用户的使用体验。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备。

背景技术

随着超高清视频产业的不断升级，市场上4K电视已经基本普及，8K电视市场也已经初具规模。而8K产品由于数据(data)线数量较多，导致覆晶薄膜(COF，Chip On Film)数量偏多、面板成本上升，而且过多的COF数量导致包材和整机的设计比较困难。现有技术中，为了降低生产成本，提出了一种双栅结构的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，通过增加栅线(gate)数量降低数据线数量来减小COF数量，进而减少对应驱动芯片的数量，达到降低生产成本的目的。

但是，栅极电压跳变时会影响像素电压浮动，导致每列像素在不同极性时的亮度有差异，用户在摇头观察显示屏时，容易丢帧出现摇头纹，影响屏幕的显示效果和用户的使用体验。

实用新型内容

本公开实施例的目的在于提供一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备，用以解决现有技术中因栅极电压跳变导致易产生摇头纹的问题。

本公开的实施例采用如下技术方案：一种双栅极结构的阵列基板，至少包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；所述阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同；其中，所述像素组为相邻两条所述数据线之间按照2*2的矩阵阵列排布的多个子像素区域；所述第一电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的源漏极之间的电容；所述第二电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的像素电极之间的电容。

在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域所对应的栅极与该子像素区域的源漏极之间的重合面积与所述像素组中的其他子像素区域的所述重合面积不同。

在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的宽度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的宽度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的宽度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的宽度。

在一些实施例中，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；所述第四子像素区域的源漏极宽度大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的源漏极宽度，所述第一子像素区域的源漏极宽度大于所述第二子像素区域和第三子像素区域的源漏极宽度，所述第二子像素区域的源漏极宽度大于第三子像素区域的源漏极宽度。

在一些实施例中，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的长度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的长度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的长度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的长度。