[实用新型]双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备

权利要求书

1.一种双栅极结构的阵列基板，其特征在于，至少包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；

所述阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同；其中，

所述像素组为相邻两条所述数据线之间按照2*2的矩阵阵列排布的多个子像素区域；

所述第一电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的源漏极之间的电容；

所述第二电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的像素电极之间的电容。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域所对应的栅极与该子像素区域的源漏极之间的重合面积与所述像素组中的其他子像素区域的所述重合面积不同。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的宽度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的宽度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的宽度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的宽度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；

所述第四子像素区域的源漏极宽度大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的源漏极宽度，所述第一子像素区域的源漏极宽度大于所述第二子像素区域和第三子像素区域的源漏极宽度，所述第二子像素区域的源漏极宽度大于第三子像素区域的源漏极宽度。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的源漏极的长度与所述像素组中其他子像素区域的源漏极的长度不同；其中，所述子像素区域的源漏极的长度为所述子像素区域的源漏极与所述子像素区域的栅极之间重合部分的长度。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；

所述第四子像素区域的源漏极长度大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的源漏极长度，所述第一子像素区域的源漏极长度大于所述第二子像素区域和第三子像素区域的源漏极长度，所述第二子像素区域的源漏极长度大于第三子像素区域的源漏极长度。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的栅线部分与该子像素区域靠近栅线一侧的像素电极的边缘之间的距离与该像素组中其他子像素区域的距离不同。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域；

所述第三子像素区域的所述距离大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的所述距离，所述第二子像素区域的所述距离大于所述第一子像素区域和所述第四子像素区域的所述距离，所述第一子像素区域的所述距离大于所述第四子像素区域的所述距离。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的栅线在靠近该子像素区域的像素电极的一侧设置有凹槽结构。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽结构的横截面至少包括以下一种形状：矩形、半圆形、锯齿形。