[实用新型]一种光学结构及显示组件有效
申请号: | 202121340185.2 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN215496721U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 李鑫;韩城;张智辉;樊星;李彦松 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 结构 显示 组件 | ||
本实用新型涉及光学领域,公开一种光学结构及显示组件。光学结构包括:用于设置在光源和介质层之间的结构本体;结构本体具有朝向光源一侧的第一表面和朝向介质层的第二表面,第二表面形成有多个凸起;结构本体的折射率高于介质层的折射率,且光源发出的光线在结构本体与介质层界面处的实现全反射的临界角度为θ,所述θ≥45°。该光学结构可以提高入射到凸起所在区域的光线的出射率,相当于减小了波导光的光损失,将更多的光线引导到空气中,可以极大地提升显示器件的发光效率;且大视角的光线会被向小视角汇聚,能够显著提高显示的正面亮度。
技术领域
本实用新型涉及光学技术领域,特别涉及一种光学结构及显示组件。
背景技术
近年来显示技术不断推陈出新,从传统LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)显示不断向Mini LED(Mini Light-Emitting Diode,发光二极管)、QLED(Quantum DotLight Emitting Diodes,量子点发光二极管)、OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)、Micro LED(Micro Light-Emitting Diode,微型发光二极管)拓展。其中电致发光QLED、OLED和Micro LED为主动发光型显示器件。主动发光型显示器件由有机材料(OLED)、量子点(QLED)或LED晶元(Micro LED)发光产生光信号,经过有机或无机介质,通过MDL材料后最终出射到空气中。
光源发出的光线在出射到空气前,会有一大部分光因为高折到低折界面的全反射造成波导光损失。而传统的平面堆叠结构不改变光线出光路径,无法将光线更多的集中到正面出射,不能进一步提升正面亮度,降低功耗。
实用新型内容
本实用新型公开了一种光学结构及显示组件,用于减少波导光损失,提升正面光出射效率。
为达到上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种光学结构,包括:用于设置在光源和介质层之间的结构本体;
所述结构本体具有朝向所述光源一侧的第一表面和朝向所述介质层的第二表面,所述第二表面形成有多个凸起;
所述结构本体的折射率高于所述介质层的折射率,且所述光源发出的光线在所述结构本体与所述介质层界面处的实现全反射的临界角度为θ,所述θ≥45°。
上述光学结构,光源发出的光线进入光学结构的凸起区域时,至少部分光线可以自凸起出射到介质层,提高入射到凸起所在区域的光线的出射率,相当于减小了波导光损失,将更多的光线引导到空气中,可以极大地提升显示器件的发光效率;且大视角的光线会被向小视角汇聚,能够显著提高显示的正面亮度。
优选地,所述凸起垂直于所述第二表面。
优选地,每个所述凸起的尺寸满足以下条件:
其中,d1为所述凸起垂直于所述第二表面的尺寸,d2为所述凸起平行于所述第二表面的尺寸。
优选地,每个所述凸起的尺寸满足以下条件:
优选地,所述凸起的底面尺寸大于所述凸起的顶面尺寸,且所述顶面在所述第二表面的正投影落在所述底面在所述第二表面的正投影内。
优选地,所述凸起的侧面与所述第二表面的夹角为60-90°,所述侧面为所述底面与所述顶面之间的斜面。优选地,所述光学结构与非像素区对应;所述凸起垂直于所述第二表面的尺寸为5-10μm,所述凸起平行于所述第二表面的尺寸为10-20μm,任意两个相邻的所述凸起之间的间距为10-25μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的