[实用新型]一种光学结构及显示组件有效
申请号: | 202121340185.2 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN215496721U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 李鑫;韩城;张智辉;樊星;李彦松 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘红彬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 结构 显示 组件 | ||
1.一种光学结构,其特征在于,包括:用于设置在光源和介质层之间的结构本体;
所述结构本体具有朝向所述光源一侧的第一表面和朝向所述介质层的第二表面,所述第二表面形成有多个凸起;
所述结构本体的折射率高于所述介质层的折射率,且所述光源发出的光线在所述结构本体与所述介质层界面处的实现全反射的临界角度为θ,所述θ≥45°。
2.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述凸起垂直于所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的光学结构,其特征在于,每个所述凸起的尺寸满足以下条件:
其中,d1为所述凸起垂直于所述第二表面的尺寸,d2为所述凸起平行于所述第二表面的尺寸。
4.根据权利要求3所述的光学结构,其特征在于,每个所述凸起的尺寸满足以下条件:
5.根据权利要求1所述的光学结构,其特征在于,所述凸起的底面尺寸大于所述凸起的顶面尺寸,且所述顶面在所述第二表面的正投影落在所述底面在所述第二表面的正投影内。
6.根据权利要求5所述的光学结构,其特征在于,所述凸起的侧面与所述第二表面的夹角为60-90°,所述侧面为所述底面与所述顶面之间的斜面。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的光学结构,其特征在于,所述光学结构与非像素区对应;
所述凸起垂直于所述第二表面的尺寸为5-10μ-,所述凸起平行于所述第二表面的尺寸为10-20μm,任意两个相邻的所述凸起之间的间距为10-25μm。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的光学结构,其特征在于,所述凸起整面等间距设置于所述结构本体的第二表面,所述凸起垂直于所述第二表面的尺寸为2-10μm,所述凸起平行于所述第二表面的尺寸为3-10μm,任意两个相邻的凸起之间的间距为5-10μm。
9.一种显示组件,其特征在于,包括:光源以及依次形成在所述光源出光面一侧的显示模组,所述显示模组设有如权利要求1-8中任一项所述的光学结构。
10.根据权利要求9所述的显示组件,其特征在于,所述显示模组包括依次形成在所述光源出光面一侧的第一封装层、有机层、第二封装层、功能层和显示盖板,所述第一封装层的折射率大于所述有机层的折射率;
所述光学结构形成于所述显示盖板背离所述光源的表面;
或者,所述光学结构形成于所述第一封装层朝向所述有机层的表面;
第一封装层的折射率大于所述有机层的折射率,所述第一封装层朝向所述有机层一侧形成有如权利要求1-8中任一项所述的光学结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的