[实用新型]太阳能电池

说明书

本公开的实施例提供一种太阳能电池。该太阳能电池包括：硅基体；至少一个层对，设置在所述硅基体的表面上，其中所述至少一个层对中每个层对包括：氧化层，设置在所述层对的靠近所述硅基体的一侧；掺杂硅膜层，设置在所述氧化层的远离所述硅基体的一侧，其中所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的所述氧化层的厚度大于所述至少一个层对中其他氧化层的厚度。

技术领域

本公开的实施例涉及一种太阳能电池。

背景技术

对于晶体硅太阳能电池来说，在硅基体表面存在缺陷，容易导致少数载流子复合而影响晶体硅太阳能电池的光电转换。因此通常需要在硅基体表面和电极之间设置钝化结构以钝化硅基体表面，以降低晶体硅基体表面少数载流子的复合速率。

采用遂穿氧化层和掺杂硅膜层的叠层钝化结构来钝化硅基体表面，可以起到优良的钝化效果。

从钝化效果上看，掺杂硅膜层中的掺杂原子浓度越高越好。但是过高的掺杂浓度在后续的高温激活工序中会发生掺杂原子穿透遂穿氧化层到达硅基体的现象，掺杂原子到达硅基体后反而会降低钝化效果。

发明内容

本公开的实施例提供一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池具有降低的电极与掺杂硅膜层的接触电阻，且具有提高的填充因子。

一方面，本公开的实施例提供一种太阳能电池，包括：硅基体；至少一个层对，设置在所述硅基体的表面上，其中所述至少一个层对中每个层对包括：氧化层，设置在所述层对的靠近所述硅基体的一侧；掺杂硅膜层，设置在所述氧化层的远离所述硅基体的一侧，其中所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的所述氧化层的厚度大于所述至少一个层对中其他氧化层的厚度。

例如，在从所述硅基体的表面到远离所述硅基体的方向上，所述至少一个层对中所述氧化层的厚度依次递减。

例如，所述至少一个层对中除最靠近所述硅基体的氧化层外的所述其他氧化层的厚度相同。

例如，所述至少一个层对中，最外层的所述氧化层的厚度小于所述至少一个层对中其他氧化层的厚度。

例如，所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的所述氧化层的厚度大于1.8nm且小于等于2.5nm，除去最靠近所述硅基体的所述氧化层的其他氧化层的厚度小于1.8nm。

例如，所述掺杂硅膜层为n型掺杂硅膜层，在从所述硅基体的表面到远离所述硅基体的方向上，所述至少一个层对中所述n型掺杂硅膜层的n型掺杂剂的掺杂浓度逐渐增加。

例如，所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的n型掺杂硅膜层的n型掺杂剂的掺杂浓度大于1*10²⁰cm^-3。

例如，所述太阳能电池，还包括：电极，设置在所述至少一个层对的远离所述硅基体的一侧。

例如，所述至少一个层对的数量为2-50。

另一方面，本公开的实施例还提供一种根据第一方面所述的太阳能电池的制造方法，包括：提供硅基体；在所述硅基体的表面上形成至少一个层对，其中形成所述至少一个层对包括：在所述至少一个层对中的每个层对的靠近所述硅基体的一侧形成氧化层；在所述氧化层的远离所述硅基体的一侧形成掺杂硅膜层，其中所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的所述氧化层的厚度大于所述至少一个层对中其他氧化层的厚度。

例如，所述至少一个层对包括3个或以上的层对，形成所述至少一个层对包括：S1、在所述硅基体的表面上形成氧化层；S2、在最靠近所述硅基体的所述氧化层上沉积原位掺杂硅膜层；S3、在所述掺杂硅膜层形成氧化层；S4、在所述氧化层上沉积原位掺杂硅膜层；重复以上步骤S3-S4直到形成倒数第二个层对。