[实用新型]太阳能电池有效
| 申请号: | 202121316185.9 | 申请日: | 2021-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN216054727U | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 陈孝业;蒋秀林;尹海鹏 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 赵国荣 |
| 地址: | 225009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
硅基体;
至少一个层对,设置在所述硅基体的表面上,
其中所述至少一个层对中每个层对包括:
氧化层,设置在所述层对的靠近所述硅基体的一侧;
掺杂硅膜层,设置在所述氧化层的远离所述硅基体的一侧,
其中所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的所述氧化层的厚度大于所述至少一个层对中其他氧化层的厚度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,在从所述硅基体的表面到远离所述硅基体的方向上,所述至少一个层对中所述氧化层的厚度依次递减。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一个层对中除最靠近所述硅基体的氧化层外的所述其他氧化层的厚度相同。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一个层对中,最外层的所述氧化层的厚度小于所述至少一个层对中其他氧化层的厚度。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一个层对中最靠近所述硅基体的所述氧化层的厚度大于1.8nm且小于等于2.5nm,除去最靠近所述硅基体的所述氧化层的其他氧化层的厚度小于1.8nm。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述硅基体是n型基体,所述掺杂硅膜层为n型掺杂硅膜层,在从所述硅基体的表面到远离所述硅基体的方向上,所述至少一个层对中所述n型掺杂硅膜层的n型掺杂剂的掺杂浓度逐渐增加。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:
电极,设置在所述至少一个层对的远离所述硅基体的一侧。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一个层对的数量为2-50。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





