[实用新型]一种比特单元和数据解析单元

说明书

本申请提供了一种比特单元和数据解析单元。在该比特单元中，两个反向器首尾相连构成闩锁结构、闩锁结构通过第一开关模块分别与第一位线和第一反位线相连，并且第一开关模块受控于第一字线，从而可以实现数据的写入和读取；另外，由于反向器和第一开关模块均包括MOS管，并且有至少一个MOS管为FDSOI‑MOS管，所以使得该比特单元在实际运行过程中的漏电流得到减少，从而降低了漏电流对自身运行造成的影响；还有，采用FDSOI‑MOS管后，由于FDSOI‑MOS管具有极小的阈值电压的变化性，即具有更好的阈值电压的均匀性，进而有利于与该比特单元相对应的数字集成电路的时序收敛。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种比特单元和数据解析单元。

背景技术

在任何新的工艺上，开发存储器的比特单元是最前期也是最重要的工作之一，只有这样才能使得此工艺具有数据存储的能力。在各种不同比特单元中，高密度比特单元是最重要的，比如在高度集成的芯片中，占了整个芯片面积的30％～60％左右的高密度比特单元可以直接影响芯片的性能。

目前，现有技术中有一种比特单元，在实际运行过程中，其自身存在较高的漏电流，从而对自身的运行造成影响。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种比特单元和数据解析单元，以减少在实际运行过程中，比特单元自身漏电流对自身运行所造成的影响。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

本申请一方面提供一种比特单元，包括：第一开关模块和两个反向器；其中：

两个所述反向器首尾相连，组成闩锁结构，所述闩锁结构通过所述第一开关模块分别与第一位线和第一反位线相连；所述第一开关模块受控于第一字线；

所述反向器和所述第一开关模块均包括MOS管，至少一个MOS管为FDSOI-MOS管。

可选的，所述FDSOI-MOS管，还设置有：体偏压连接极；所述体偏压连接极与电压产生器相连。

可选的，所述体偏压连接极接收到正电压或负电压，以形成正向偏压或者反向偏压。

可选的，所述第一开关模块，包括：包括：第一MOS管和第二MOS管；其中：

所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NMOS管；

所述第一MOS管的栅极与所述第一字线相连，所述第一MOS管的源极与所述闩锁结构的任一连接点相连，所述第一MOS管的漏极与所述第一位线相连；

所述第二MOS管的栅极与所述第一字线相连，所述第二MOS管的源极与所述闩锁结构的另一连接点相连，所述第二MOS管的漏极与所述第一反位线相连。

可选的，还包括：第二开关模块；其中：

所述闩锁结构通过所述第二开关模块与数据传输线相连；

所述第二开关模块受控于第二字线。

可选的，若所述数据传输线包括第二位线，则所述第二开关模块包括：第三MOS管和第四MOS管；其中：

所述第三MOS管和所述第四MOS管均为NMOS管；

所述第三MOS管的栅极与所述第二字线相连，所述第三MOS管的漏极与所述第二位线相连，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极相连，所述第四MOS管的栅极与所述闩锁结构的任一连接点相连，所述第四MOS管的源极与公共地相连。

可选的，若所述数据传输线包括第二位线和第二反位线，则所述第二开关模块包括：第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；其中