[实用新型]一种比特单元和数据解析单元

权利要求书

1.一种比特单元，其特征在于，包括：第一开关模块和两个反向器；其中：

两个所述反向器首尾相连，组成闩锁结构，所述闩锁结构通过所述第一开关模块分别与第一位线和第一反位线相连；所述第一开关模块受控于第一字线；

所述反向器和所述第一开关模块均包括MOS管，至少一个MOS管为FDSOI-MOS管。

2.根据权利要求1所述的比特单元，其特征在于，所述FDSOI-MOS管，还设置有：体偏压连接极；所述体偏压连接极与电压产生器相连。

3.根据权利要求2所述的比特单元，其特征在于，所述体偏压连接极接收到正电压或负电压，以形成正向偏压或者反向偏压。

4.根据权利要求1所述的比特单元，其特征在于，所述第一开关模块，包括：第一MOS管和第二MOS管；其中：

所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NMOS管；

所述第一MOS管的栅极与所述第一字线相连，所述第一MOS管的源极与所述闩锁结构的任一连接点相连，所述第一MOS管的漏极与所述第一位线相连；

所述第二MOS管的栅极与所述第一字线相连，所述第二MOS管的源极与所述闩锁结构的另一连接点相连，所述第二MOS管的漏极与所述第一反位线相连。

5.根据权利要求1-4任一项所述的比特单元，其特征在于，还包括：第二开关模块；其中：

所述闩锁结构通过所述第二开关模块与数据传输线相连；

所述第二开关模块受控于第二字线。

6.根据权利要求5所述的比特单元，其特征在于，若所述数据传输线包括第二位线，则所述第二开关模块包括：第三MOS管和第四MOS管；其中：

所述第三MOS管和所述第四MOS管均为NMOS管；

所述第三MOS管的栅极与所述第二字线相连，所述第三MOS管的漏极与所述第二位线相连，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极相连，所述第四MOS管的栅极与所述闩锁结构的任一连接点相连，所述第四MOS管的源极与公共地相连。

7.根据权利要求5所述的比特单元，其特征在于，若所述数据传输线包括第二位线和第二反位线，则所述第二开关模块包括：第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管；其中

所述第五MOS管、所述第六MOS管、所述第七MOS管和所述第八MOS管均为NMOS管；

所述第五MOS管的栅极与所述第二字线相连，所述第五MOS管的漏极与所述第二位线相连，所述第五MOS管的源极与所述第六MOS管的漏极相连，所述第六MOS管的栅极与所述闩锁结构的任一连接点相连，所述第六MOS管的源极与公共地相连；

所述第七MOS管的栅极与所述第二字线相连，所述第七MOS管的漏极与所述第二反位线相连，所述第七MOS管的源极与第八MOS管的漏极相连，所述第八MOS管的栅极与所述闩锁结构的另一连接点相连，所述第八MOS管的源极与公共地相连。

8.根据权利要求1-4任一项所述的比特单元，其特征在于，所述反向器，包括：第九MOS管和第十MOS管；其中：

所述第九MOS管为PMOS管，所述第十MOS管为NMOS管；

所述第九MOS管和所述第十MOS管共栅极连接，连接点作为所述反向器的输入端；

所述第九MOS管和所述第十MOS管共漏极连接，连接点作为所述反向器的输出端；

所述第九MOS管的源极与工作电源相连，所述第十MOS管的源极与公共地相连。