[实用新型]一种MEMS高精度谐振式压力传感器有效

专利信息
申请号: 202121282050.5 申请日: 2021-06-09
公开(公告)号: CN215178276U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 沈旭东;李政华;周骏 申请(专利权)人: 嘉兴恩湃电子有限公司
主分类号: G01L1/10 分类号: G01L1/10
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 程开生
地址: 314006 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 高精度 谐振 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种MEMS高精度谐振式压力传感器,其特征在于,包括绝压基座、接头装置、转接装置和第一密封圈,所述绝压基座内置于所述接头装置,所述第一密封圈安装于所述绝压基座并且所述转接装置与所述接头装置螺纹连接,其中:

所述接头装置包括第一组件和第二组件并且所述第一组件和所述第二组件一体成型,所述第一组件和所述第二组件通过第一连接孔连通并且所述第一组件设有第一凹槽部,所述绝压基座内置于所述第一凹槽部;

所述绝压基座包括第二凹槽部,所述第一密封圈安装于所述第二凹槽部。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS高精度谐振式压力传感器,其特征在于,所述第二组件远离所述第一组件的一端设有第三凹槽部,所述第三凹槽部设有平垫并且所述第二组件设有外螺纹结构,所述转接装置设有第一通孔并且所述第一通孔与所述第一凹槽部连通。

3.根据权利要求2所述的一种MEMS高精度谐振式压力传感器,其特征在于,所述转接装置内置于所述第一凹槽部并且所述转接装置位于所述绝压基座远离所述第二组件的一端。

4.根据权利要求2所述的一种MEMS高精度谐振式压力传感器,其特征在于,所述转接装置包括第三组件和第四组件并且所述第三组件和所述第四组件一体成型,所述第三组件位于所述绝压基座远离所述第二组件的一端,所述第三组件设有外螺纹结构并且所述第三组件内置于所述第一凹槽部,所述第四组件外置于所述第一凹槽部;

MEMS高精度谐振式压力传感器还包括第二密封圈,所述第二密封圈内置于所述第一凹槽部,并且所述第二密封圈位于所述绝压基座远离所述转接装置的一端。

5.根据权利要求2所述的一种MEMS高精度谐振式压力传感器,其特征在于,所述转接装置外置于所述第一组件,所述第一组件设有外螺纹结构并且所述转接装置与所述第一组件螺纹连接。

6.根据权利要求5所述的一种MEMS高精度谐振式压力传感器,其特征在于,MEMS高精度谐振式压力传感器还包括第二密封圈,所述第二密封圈内置于所述第一凹槽部,并且所述第二密封圈位于所述绝压基座远离所述转接装置的一端。

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