[实用新型]半导体存储器装置

说明书

提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。

本申请要求于2020年8月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0099147号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体存储器装置和一种用于制造该半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及一种具有增强的电特性的半导体存储器装置和一种用于制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术

半导体装置因为它们的小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛地用于电子产业中。半导体装置之中的数据存储装置可以存储逻辑数据。由于数据存储装置随着电子产业的进步而变得高度地集成，因此为了数据存储装置的高集成度，正在减小数据存储装置的元件或组件的宽度。

此外，数据存储装置的高集成度要求数据存储装置的高可靠性。然而，数据存储装置的可靠性会因高集成度而劣化，例如，由于元件或组件的宽度的减小以及元件或组件之间的界面处的具有高接触电阻的不稳定接触而引起的电特性的劣化。因此，已经进行了各种研究，以增强数据存储装置的可靠性。

实用新型内容

本发明构思的实施例可以提供一种具有增强的电特性的半导体存储器装置。

本发明构思的实施例还可以提供一种用于制造具有增强的电特性的半导体存储器装置的方法。

在本发明构思的实施例中，半导体存储器装置可以包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并且沿第一方向延伸，当在平面图中观看时，栅电极设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，位线电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区，接触件与位线间隔开并使间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，界面层在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。与界面层接触的接触件的底部可以比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物和它们的组合中的至少一种形成。

在实施例中，接触件包括：第一金属图案；以及第二金属图案，设置在第一金属图案与界面层之间，其中，第一金属图案包括金属，并且其中，第二金属图案包括导电金属氮化物。

在实施例中，第一金属图案的底部比基底的所述顶表面低。

在实施例中，界面层包括石墨烯或磷烯，并且其中，界面层的厚度在1nm至5nm的范围内。

在实施例中，接触件包括：下部，位于比基底的所述顶表面低的水平处；上部，设置在所述下部上并且沿着间隔件竖直地延伸；以及垫部，设置在所述上部上，并且数据存储元件设置在所述垫部上。

在实施例中，所述半导体存储器装置还包括：器件隔离层，填充限定第一有源图案的第一沟槽，其中，第一有源图案和器件隔离层凹陷以限定接触孔，并且其中，接触件的下部以及界面层设置在接触孔中。