[实用新型]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储装置包括：

基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

栅电极，与第一有源图案相交并且沿第一方向延伸；

位线，与第一有源图案相交并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，位线电连接到第一源极/漏极区；

间隔件，设置在位线的侧壁上；

接触件，电连接到第二源极/漏极区，接触件与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；

界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，界面层在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及

数据存储元件，设置在接触件上，

其中，与界面层接触的接触件的底部比基底的顶表面低，并且

其中，接触件包括：第一金属图案；以及第二金属图案，设置在第一金属图案与界面层之间，其中，第一金属图案由金属形成，并且第二金属图案由导电金属氮化物形成；

或者，接触件由单个金属图案形成。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，第一金属图案的底部比基底的所述顶表面低。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，界面层由石墨烯或磷烯形成，并且

其中，界面层的厚度在1nm至5nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，接触件包括：

下部，位于比基底的所述顶表面低的水平处；

上部，设置在所述下部上并且沿着间隔件竖直地延伸；以及

垫部，设置在所述上部上，并且数据存储元件设置在所述垫部上。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置还包括：

器件隔离层，填充限定第一有源图案的第一沟槽，

其中，第一有源图案和器件隔离层凹陷以限定接触孔，并且

其中，接触件的下部以及界面层设置在接触孔中。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其特征在于，基底还具有第二有源图案，

其中，第一有源图案和第二有源图案中的每个沿第三方向具有长轴，第三方向与第一方向和第二方向交叉，

其中，第一有源图案和第二有源图案沿第三方向彼此相邻，

其中，器件隔离层填充位于第一有源图案与第二有源图案之间的第二沟槽，并且

其中，第二沟槽比第一沟槽深。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置还包括：

导电图案，设置在位线下方，

其中，导电图案连接到第一有源图案的第一源极/漏极区，并且

其中，导电图案的与第一源极/漏极区接触的底表面比接触件的所述底部低。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，数据存储元件包括：

第一电极，设置在接触件的垫部上；

第二电极，设置在第一电极上；以及

介电层，设置在第一电极与第二电极之间。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置还包括：

掩模图案，设置在位线上，

其中，界面层沿着间隔件从第二源极/漏极区竖直地延伸，以覆盖掩模图案的顶表面的至少一部分。