[实用新型]一种三极管双排框架结构

说明书

本实用新型公开了一种三极管双排框架结构,包括掺杂半导体、隔离金属环、塑料封盖和引线电极，所述塑料侧封盖的内壁且靠近上端固定连接有塑料上封盖，所述塑料侧封盖的内壁且靠近下端固定连接有塑料下封盖。本实用新型，通过设置四层不同浓度和类型的掺杂半导体，使得一个三极管具备PNP和NPN两种属性的功能，提高了三极管的适用性，通过在每层不同属性的掺杂半导体之间设置隔离金属环，既能保证导电性，又能避免半导体之间形成的P‑N结处发生局部击穿，通过设置塑料封盖对半导体进行封装，在起到很好保护作用的同时降低了三极管的自重，通过在塑料封盖上标识型号符，能够帮助使用者如何辨别三极管的方向，具有较好的提示功能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三极管双排框架结构。

背景技术

二极管是现今电子设备实现各种复杂功能的基础单元，随后诞生的三极 管作为半导体的一员，具有很强的电流放大功能。三极管是在一块半导体基 片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间 部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

且现有的三极管只有PNP和NPN两种构架形式，一个三极管只能具备一 种构架形式。例如在中国专利网上检索到一种专利号为201310456033.2的三 极管，通过合理地进行构架优化来避免局部击穿现象，从而提高三极管的使 用稳定性。但优化构架方案仍只具备一种基本构架形式，不能向另一种构架 形式转换，在实际使用中只能通过更换三极管才能实现另一种基本构架的功 能。为了解决上述问题，这里提出了一种新型的。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种三 极管双排框架结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种三极管双排 框架结构，包括掺杂半导体、隔离金属环、塑料封盖、塑料侧封盖和引线电 极，所述塑料侧封盖的内壁且靠近上端固定连接有塑料上封盖，所述塑料侧 封盖的内壁且靠近下端固定连接有塑料下封盖；

所述塑料上封盖和塑料下封盖相对的面固定连接有同轴的第一隔离金属 环，所述塑料上封盖和塑料下封盖相对的面且位于第一隔离金属环的外围固 定连接有第二隔离金属环，所述塑料上封盖和塑料下封盖相对的面且位于第 二隔离金属环的外围固定连接有第三隔离金属环；

所述第一隔离金属环的内部均匀填充有高浓度P型掺杂半导体，所述第 一隔离金属环与第二隔离金属环之间均匀填充有高浓度N型掺杂半导体，所 述第二隔离金属环与第三隔离金属环之间均匀填充有低浓度P型掺杂半导体， 所述第三隔离金属环与塑料侧封盖之间均匀填充有低浓度N型掺杂半导体；

所述塑料上封盖固定连接有由下表面延伸至上表面下方的PNP型发射极、 PNP型基极和PNP型集电极，所述塑料下封盖固定连接有由上表面延伸至下表 面下方的NPN型发射极、NPN型基极和NPN型集电极。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述PNP型发射极位于高浓度P型掺杂半导体的正上方，所述PNP型发 射极的下端与高浓度P型掺杂半导体接触并电性连接。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述PNP型基极位于高浓度N型掺杂半导体的正上方，所述PNP型基极 的下端与高浓度N型掺杂半导体接触并电性连接。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述PNP型集电极位于低浓度P型掺杂半导体的正上方，所述PNP型集 电极的下端与低浓度P型掺杂半导体接触并电性连接。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述NPN型发射极位于高浓度N型掺杂半导体的正下方，所述NPN型发 射极的下端与高浓度N型掺杂半导体接触并电性连接。