[实用新型]一种三极管双排框架结构

权利要求书

1.一种三极管双排框架结构，包括掺杂半导体、隔离金属环、塑料封盖、塑料侧封盖(10)和引线电极，其特征在于：所述塑料侧封盖(10)的内壁且靠近上端固定连接有塑料上封盖(8)，所述塑料侧封盖(10)的内壁且靠近下端固定连接有塑料下封盖(9)；

所述塑料上封盖(8)和塑料下封盖(9)相对的面固定连接有同轴的第一隔离金属环(11)，所述塑料上封盖(8)和塑料下封盖(9)相对的面且位于第一隔离金属环(11)的外围固定连接有第二隔离金属环(12)，所述塑料上封盖(8)和塑料下封盖(9)相对的面且位于第二隔离金属环(12)的外围固定连接有第三隔离金属环(13)；

所述第一隔离金属环(11)的内部均匀填充有高浓度P型掺杂半导体(14)，所述第一隔离金属环(11)与第二隔离金属环(12)之间均匀填充有高浓度N型掺杂半导体(15)，所述第二隔离金属环(12)与第三隔离金属环(13)之间均匀填充有低浓度P型掺杂半导体(16)，所述第三隔离金属环(13)与塑料侧封盖(10)之间均匀填充有低浓度N型掺杂半导体(17)；

所述塑料上封盖(8)固定连接有由下表面延伸至上表面下方的PNP型发射极(1)、PNP型基极(2)和PNP型集电极(3)，所述塑料下封盖(9)固定连接有由上表面延伸至下表面下方的NPN型发射极(5)、NPN型基极(6)和NPN型集电极(7)。

2.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述PNP型发射极(1)位于高浓度P型掺杂半导体(14)的正上方，所述PNP型发射极(1)的下端与高浓度P型掺杂半导体(14)接触并电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述PNP型基极(2)位于高浓度N型掺杂半导体(15)的正上方，所述PNP型基极(2)的下端与高浓度N型掺杂半导体(15)接触并电性连接。

4.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述PNP型集电极(3)位于低浓度P型掺杂半导体(16)的正上方，所述PNP型集电极(3)的下端与低浓度P型掺杂半导体(16)接触并电性连接。

5.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述NPN型发射极(5)位于高浓度N型掺杂半导体(15)的正下方，所述NPN型发射极(5)的下端与高浓度N型掺杂半导体(15)接触并电性连接。

6.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述NPN型基极(6)位于低浓度P型掺杂半导体(16)的正下方，所述NPN型基极(6)的下端与低浓度P型掺杂半导体(16)接触并电性连接。

7.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述NPN型集电极(7)位于低浓度N型掺杂半导体(17)的正下方，所述NPN型集电极(7)的下端与低浓度N型掺杂半导体(17)接触并电性连接。

8.根据权利要求1所述的一种三极管双排框架结构，其特征在于：所述塑料上封盖(8)的上表面和塑料下封盖(9)的下表面均设置有型号标识符(4)。