[实用新型]一种出片腔结构及PECVD设备有效
申请号: | 202121246273.6 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN215050688U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;候岳明 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 林伟敏 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 出片腔 结构 pecvd 设备 | ||
本实用新型公开了一种出片腔结构及PECVD设备,涉及散热装置技术领域。一种出片腔结构具体包括设有容置腔的壳体,所述容置腔内设有至少两个冷却组件,所述冷却组件之间形成适于工件穿过的冷却通道。旨在增大与腔体的换热面积,提高换热速度,同时实现均匀换热。
技术领域
本实用新型涉及散热装置技术领域,特别涉及一种出片腔结构及PECVD设备。
背景技术
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)加工过程中,载板及硅片在工艺腔体中始终处于150-300℃的高温。在将载板和硅片从工艺腔体取出后,通过出片腔室腔体,实现真空与大气环境切换,然后流转至下一工艺环节。
由于载板和硅片在流入下一工艺环节时,载板及硅片的目标温度需要降至80℃以下。但因产能节拍的限制,由工艺腔体出来至出片腔的载板及硅片,只能在出片腔中做短暂停留,靠出片腔体内的自然冷却通常无法满足冷却要求。为了解决上述技术问题,目前采用的技术手段为反复抽放氮气,靠室温的氮气对载板及硅片进行冷却。此方法加大了氮气的消耗量,同时反复充放氮气会导致硅片碎裂,污染腔室。
为了克服上述技术问题,中国专利公开了一种半导体设备腔体结构,其在腔室内设置冷却层,通过冷却层冷却承载半导体制程中的承载盘,提高冷却效率。其虽然无需使用氮气,但是其在一侧设置冷却板,使得承载盘上下的温度存在较大差异,是的放置在载盘上的待等缺件容易破裂,降低成品率。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种出片腔结构及PECVD设备,旨在增大与腔体的换热面积,提高换热速度,同时实现均匀换热。
为了实现上述目的,本实用新型提出一种出片腔结构,包括设有容置腔的壳体,所述容置腔内设有至少两个冷却组件,所述冷却组件之间形成适于工件穿过的冷却通道。
在本申请的一实施例中,两个所述冷却组件均采用第一冷却组件;或
两个所述冷却组件均采用第二冷却组件;或两个所述冷却组件分别采用第一冷却组件和第二冷却组件。
在本申请的一实施例中,所述第一冷却组件包括:第一冷却水道,所述第一冷却水道设于所述壳体内部 。
在本申请的一实施例中,所述第一冷却水道呈“S”形排布。
在本申请的一实施例中,所述第二冷却组件包括:水冷板,其表面设有安装槽并凸设于所述容置腔内;
第二冷却水管,设于所述安装槽内且所述第二冷却水管的进水口与出水口均伸出所述壳体外部;以及
固定件,设于所述壳体外侧用于固定所述第二冷却水管的进水口和出水口。
在本申请的一实施例中,所述安装槽呈“S”形设置于所述水冷板上表面和/或下表面。
在本申请的一实施例中,所述固定件包括:
套接于第二冷却水管上并抵接于所述壳体外壁的第一固定部,
套接于第二冷却水管并抵接于所述第一固定部的第二固定部;
以及将所述第一固定部、第二固定部可拆卸连接于所述壳体外壁的连接件。
在本申请的一实施例中,所述第一固定部与所述壳体外壁之间设有第一密封件,所述第一密封件用于密封第一固定部与所述壳体外壁之间的间隙;
所述第二固定部与所述第一固定部之间设有第二密封件,所述第二密封件用于密封第一固定部与第二冷却水管之间的间隙。
在本申请的一实施例中,所述第二冷却组件还包括:卡套接头,所述卡套接头套接于第二冷却水管;
卡套本体,套接于所述第二冷却水管的进水口和/或出水口并连接于所述卡套接头;以及
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的