[实用新型]一种复合式氧传感器芯片

权利要求书

1.一种复合式氧传感器芯片，包括保护层，其特征在于：所述保护层的下方设置有上铂电极，所述上铂电极下方设置有第一基体层，所述第一基体层的前端的上、下侧分别开设有上废气通道槽和下废气通道槽，所述第一基体层的下方设置有中铂电极，所述中铂电极的下方设置有第二基体层，所述第一基体层与保护层之间形成有与上废气通道槽联通的废气通道一，所述第二基体层与第一基体层之间设置有与下废气通道槽联通的废气通道二，所述第二基体层的下方设置有下铂电极，所述下铂电极的下方设置有绝缘层，第二基体层与绝缘层之间形成有空气通道，所述绝缘层的下方设置有加热电极，所述加热电极设置在加热电极托板上，所述保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极和第二基体层形成第一能斯特电池单元，所述第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层形成第二能斯特电池单元。

2.根据权利要求1所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述上铂电极、中铂电极、下铂电极、加热电极均通过导电浆料连接在各自的电极连接柱上。

3.根据权利要求2所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述上铂电极、中铂电极、下铂电极和加热电极均通过印刷分别刻入在第一基体层的上表面、第一基体层的下表面、第二基体层的上表面和加热电极托板上。

4.根据权利要求3所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述保护层、上铂电极、第一基体层、中铂电极、第二基体层、下铂电极、绝缘层、加热电极和加热电极托板为层叠压紧烧结一体成型。

5.根据权利要求2所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述第一基体层和第二基体层的末端设置有易于导电浆料通过的注入孔。

6.根据权利要求1所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述绝缘层可以为氧化锆材质。

7.根据权利要求1所述的一种复合式氧传感器芯片，其特征在于：所述保护层通过掺杂C基材料的氧化铝浆料制成，且所述保护层上设置有若干透气孔。