[实用新型]ESD防护晶体管有效
| 申请号： | 202121230709.2 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN215183979U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 顾大元;乔畅君;韩玲玲;孙可平 | 申请（专利权）人： | 深圳市中明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 蓝晓玉 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区福永*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | esd 防护 晶体管 | ||
1.一种ESD防护晶体管，其特征在于，包括：衬底、形成于所述衬底上的掩埋介电层、形成于所述掩埋介电层上的表面半导体层；其中，所述表面半导体层中形成有开放数据链路接口晶体管。
2.如权利要求1所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述开放数据链路接口晶体管为第一开放数据链路接口晶体管或第二开放数据链路接口晶体管，所述第一开放数据链路接口晶体管的栅氧化层厚度与所述第二开放数据链路接口晶体管的栅氧化层厚度不同。
3.如权利要求2所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述第一开放数据链路接口晶体管的栅氧化层厚度为18Å，所述第二开放数据链路接口晶体管的栅氧化层厚度为50Å 。
4.如权利要求3所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述第一开放数据链路接口晶体管的运行电压为1.2V，所述第二开放数据链路接口晶体管的运行电压为2.5V。
5.如权利要求2所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述第一开放数据链路接口晶体管的结构为浮体结构。
6.如权利要求2所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述第二开放数据链路接口晶体管的结构为浮体结构或体接触结构。
7.如权利要求6所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述第二开放数据链路接口晶体管为T型栅体接触结构。
8.如权利要求1所述的ESD防护晶体管，其特征在于，所述开放数据链路接口晶体管的失效限值由漏-源间电压的最大值决定。
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