[实用新型]封装结构

说明书

本实用新型提供一种封装结构，所述封装结构包括：引线框架；绝缘膜，所述绝缘膜放置在所述引线框架上；芯片，所述芯片放置在所述绝缘膜上；硅胶层，所述硅胶层包裹住所述芯片。本实用新型使用半导体封装工艺在引线框架与芯片之间设置绝缘膜，提高产品隔离耐压能力，提高了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种封装结构。

背景技术

现有技术中，多数类型的霍尔电流传感器是开环式和闭环式两种，其结构均存在中间穿孔的部分。

无论开环式或者闭环式的霍尔电流传感器，基本结构都是通过原边电流导线穿过环形磁芯中间孔这种结构，在环形磁芯中产生磁场，或者初级电流线绕圆形磁环产生磁场的方式来实现。

现有技术中霍尔电流传感器结构缺陷是：整个霍尔传感器模块三维尺寸大，原因是受限于圆形磁环的体积，加之初级电流线的直径以及外围辅助测试电路印制电路板的尺寸限制，无法将霍尔传感器模块做小。

霍尔电流传感器做成半导体集成电路，常规的SOP16封装通过普通绝缘胶来达到芯片与引线框架之间绝缘隔离电压无法承受3kV、50HZ电流通过1分钟。

常规的SOP16封装内部铜框架导线阻抗大、功耗大，无法解决过大电流工作时散热问题。由于封装内部塑封材料和芯片的膨胀率相差巨大，在通过大电流工作时，产生高温的造成内部应力会影响产品的稳定性和可靠性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提高芯片与引线框架之间绝缘隔离电压，提供一种封装结构。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种封装结构，包括：引线框架；绝缘膜，所述绝缘膜放置在所述引线框架上；芯片，所述芯片放置在所述绝缘膜上；硅胶层，所述硅胶层包裹住所述芯片。

本实用新型使用半导体封装工艺在引线框架与芯片之间设置绝缘膜，提高产品隔离耐压能力，提高了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压。

附图说明

附图1所示为本实用新型一具体实施方式步骤示意图。

附图2A-2G所示为本实用新型一具体实施方式工艺示意图。

附图3所示为本实用新型一具体实施方式所述将绝缘膜放置在所述引线框架上步骤示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的的具体实施方式做详细说明。

附图1所示为本实用新型一具体实施方式步骤示意图，包括：步骤S11，提供一引线框架；步骤S12，将绝缘膜放置在所述引线框架上；步骤S13，将芯片放置在所述绝缘膜上；步骤S14，采用硅胶层包裹住所述芯片。

附图2A所示，参考步骤S11，提供一引线框架201。在本具体实施方式中，所述引线框架采用金属Cu材料。

步骤S12，将绝缘膜203放置在所述引线框架201上。在本具体实施方式中，所述绝缘膜采用DAF膜。

在本实用新型的一个具体实施方式中，上述结构的形成步骤进一步采用如下方法，参考附图3所示，为本实用新型一具体实施方式所述将绝缘膜放置在所述引线框架上步骤示意图，包括：步骤S31，将第一装片膜放置在所述引线框架上；步骤S32，将绝缘膜放置在所述第一装片膜上，使所述绝缘膜和所述第一装片膜充分粘合；步骤S33，将第二装片膜放置在所述绝缘膜上。

附图2B所示，参考步骤S31，将第一装片膜202放置在所述引线框架201上。在本具体实施方式中，所述第一装片膜202起到黏合所述引线框架201与所述绝缘膜203的作用。