[实用新型]一种转移载板有效
| 申请号: | 202121204517.4 | 申请日: | 2021-05-28 | 
| 公开(公告)号: | CN214753690U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 | 
| 发明(设计)人: | 薛水源;庄文荣;孙明;付小朝 | 申请(专利权)人: | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 | 
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;赵月芬 | 
| 地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 转移 | ||
本实用新型公开了一种转移载板,包括基底、第一光阻层以及膨胀材料。其中,基底可透光,其包括相对的第一表面和第二表面。第一光阻层覆于第二表面,第一光阻层具有若干贯穿其厚度的通孔。膨胀材料填充于对应的通孔并于受激光照射时膨胀,将芯片顶至位于其下方的PCB板/另一载板,可以实现芯片的精确转移。同时,由于第一光阻层的设置,使得基底的第二表面侧在通孔以外的区域不透光,避免激光透射至邻近的膨胀材料,进一步提高了芯片转移的准确性。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件制造技术领域,尤其涉及一种转移载板。
背景技术
在Mini/micro LED的制造过程中,涉及Mini/micro LED芯片的巨量转移。常用的做法是,采用具有粘贴材料层的转移载板,将待转移的芯片排列在该转移载板的粘贴材料层上,然后,将该转移载板上的芯片与PCB板/另一转移载板对位,并从基板设有粘贴材料层的背对侧施加激光或者进行加热,使粘贴材料层膨胀,进而将芯片顶至PCB板/另一转移载板上,最后,将芯片与粘贴材料层分离。
传统技术中,粘贴材料层2’(膜类或胶类)皆为在转移载板1’平面直接涂布(如图1所示),在利用激光照射融蚀形成气喷出或鼓泡时,喷气方向及鼓泡形状不易控制,容易造成芯片在PCB板/另一转移载板上3’的位置出现偏移(准确转移的芯片标号为5’,位置偏移的芯片标号为5a’),难以实现芯片的精密、快速转移。
因此,亟需提供一种能够实现芯片准确转移的转移载板,以解决上述现有技术中所存在的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够实现芯片准确转移的转移载板。
为实现上述目的,本实用新型提供一种转移载板,其包括基底、第一光阻层以及膨胀材料。其中,所述基底可透光,其包括相对的第一表面和第二表面。所述第一光阻层覆于所述第二表面,所述第一光阻层具有若干贯穿其厚度的通孔。所述膨胀材料填充于对应的所述通孔并于受激光照射时膨胀。
与现有技术相比,本实用新型在基底的第二表面设置第一光阻层,并在第一光阻层开设贯穿其厚度的通孔,通过在通孔填充膨胀材料,当通孔内的膨胀材料受激光照射膨胀时,将芯片顶至位于其下方的PCB板/另一载板,可以实现芯片的精确转移。同时,由于第一光阻层的设置,使得基底的第二表面侧在通孔以外的区域不透光,避免激光透射至邻近的膨胀材料,进一步提高了芯片转移的准确性。
较佳地,所述膨胀材料于取消激光照射时收缩复原。
具体地,所述膨胀材料为光敏材料或热敏材料。
在一实施例中,所述膨胀材料具有粘性,所述膨胀材料用于粘附芯片。
较佳地,所述膨胀材料背离所述第二表面的一端向外凸出所述通孔。
在一实施例中,至少两所述通孔中的膨胀材料协同粘附一芯片。
在一实施例中,所述转移载板还包括粘贴层,所述粘贴层覆于所述第一光阻层背离所述基底的一面,所述粘贴层用于粘附芯片,所述膨胀材料于膨胀时向外顶推所述粘贴层。
在一实施例中,所述转移载板还进一步包括第二光阻层,所述第二光阻层覆于所述第一表面,所述第二光阻层与所述通孔正对的位置具有贯穿其厚度的开孔。
在一实施例中,所述基底为玻璃板。
附图说明
图1是现有技术LED芯片由转移载板转移至PCB板/另一载板的示意图。
图2是本实用新型一实施例转移载板的示意图。
图3是本实用新型另一实施例转移载板的示意图。
图4是本实用新型又一实施例转移载板的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中麒光电技术有限公司,未经东莞市中麒光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121204517.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种游艺设备的五金机箱
- 下一篇:一种电子烟
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





