[实用新型]一种空化器有效
| 申请号: | 202121203390.4 | 申请日: | 2021-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN214810921U | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 马库斯·郎 | 申请(专利权)人: | 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | B01J19/24 | 分类号: | B01J19/24;B01J19/00;B01J4/00 |
| 代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 武志峰 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 空化器 | ||
本实用新型公开了一种空化器,设置于蚀刻机的循环系统中,用于保持蚀刻机中的蚀刻剂溶液的浓度,蚀刻机的循环系统包括用于盛放蚀刻剂溶液的容纳池,空化器包括密封连接的混合装置和气泡破裂装置,混合装置连通容纳池的下端,气泡破裂装置连通容纳池的上端,混合装置内设有朝向气泡破裂装置的混合喷嘴,混合装置的外侧设有多个连通混合喷嘴且用于注入气体和蚀刻成分剂的注入接头,气泡破裂装置内设有使气泡发生破裂的挡板组件。本实用新型提供的空化器结构中,通过混合装置和气泡破裂装置可使得注入的气体和蚀刻成分剂充分与蚀刻剂溶液进行化学反应,具有稳定保持蚀刻机中的蚀刻剂溶液的高浓度和混合均匀的优点。
技术领域
本实用新型涉及蚀刻剂溶液处理领域,特别涉及一种空化器。
背景技术
目前,在高密度集成电路板和IC载板的核心制造工艺中,通常会采用氯化铜蚀刻剂溶液来蚀刻高密度电路引线,为确保蚀刻高密度电路引线的性能,需确保氯化铜蚀刻剂溶液保持高浓度和均匀混合的状态,这就需要不断往氯化铜蚀刻剂溶液中注入氧气或臭氧以及氯化铜蚀刻剂溶液的成分。
现有技术中,通常将氯化铜蚀刻剂溶液不断泵送出来再回流,形成溶液流动的循环系统,在溶液循环流动的过程中通过反应器将氯化铜蚀刻剂溶液与注入的氧气或臭氧以及氯化铜蚀刻剂溶液的成分进行混合,以此来确保氯化铜蚀刻剂溶液保持高浓度和均匀混合的状态,但是在注入氧气或臭氧的过程中会出现气泡,并且会合并成越来越大的气泡,而溶液需与氧气或臭氧进行化学反应,气泡越大,可发生化学反应的面积就越来越小,从而导致氯化铜蚀刻剂溶液的浓度不够,混合不均匀。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种空化器,旨在解决现有技术通过混合器调节蚀刻机中的蚀刻剂溶液的浓度时,存在蚀刻剂溶液的浓度不够,混合不均匀的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:提供一种空化器,设置于蚀刻机的循环系统中,用于保持蚀刻机中的蚀刻剂溶液的浓度,所述蚀刻机的循环系统包括用于盛放蚀刻剂溶液的容纳池,所述空化器包括密封连接的混合装置和气泡破裂装置,所述混合装置连通所述容纳池的下端,所述气泡破裂装置连通所述容纳池的上端,所述混合装置内设有朝向所述气泡破裂装置的混合喷嘴,所述混合装置的外侧设有多个连通所述混合喷嘴且用于注入气体和蚀刻成分剂的注入接头,所述气泡破裂装置内设有使气泡发生破裂的挡板组件。
进一步的,所述气泡破裂装置的一端插装于所述混合装置的一端,所述气泡破裂装置和混合装置的插装位置上设有密封垫圈。
进一步的,所述气泡破裂装置和混合装置的外侧连接处设有锁紧件。
进一步的,所述锁紧件为锁紧螺母,所述锁紧螺母的一端螺纹连接于所述混合装置的外侧,所述锁紧螺母的另一端向内侧方向设有环形压装部,所述气泡破裂装置连接所述混合装置的一端设有环形凸起,所述环形压装部与所述环形凸起相互抵压固定。
进一步的,所述注入接头包括注气接头、注水接头以及注盐酸接头,所述注气接头、注水接头以及注盐酸接头圆周均匀分布在所述混合装置上。
进一步的,所述挡板组件设置在所述气泡破裂装置内临近所述混合装置的一端,所述气泡破裂装置内的另一端为溶液平稳腔。
进一步的,所述挡板组件包括直杆和多个挡板,所述直杆的一端卡装在所述气泡破裂装置内临近所述混合装置的一端,多个所述挡板并排间隔设置在所述直杆的另一端。
进一步的,多个所述挡板可移动安装在所述直杆上。
进一步的,多个所述挡板沿溶液流动方向依次增大设置。
进一步的,所述混合装置连通所述容纳池的一端设有内凹接口,所述气泡破裂装置连通所述容纳池的一端设有外凸接头。
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