[实用新型]一种电源过压保护电路有效

专利信息
申请号: 202121156119.X 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN215120107U 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 杨跞;李庚益;王麒麟;程小猛;陈宏伟;许楠 申请(专利权)人: 中科新松有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 北京科石知识产权代理有限公司 11595 代理人: 徐红岗
地址: 201206 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 保护 电路
【说明书】:

一种电源过压保护电路,通过稳压管、PNP型三极管和P沟道Mosfet的组合使用,实现当输入电压超过设定的正常值时,输出端电压为零,并且可通过稳压管和P沟道Mosfet的选型,实现对不同过压阈值和承载电流的匹配。该电路原理简单,价格低廉,承载的电流较大,而且可通过对器件的简单替换灵活实现不同的电压阈值和承载能力需求。

技术领域

发明属于电学领域,特别涉及一种过压保护电路。

背景技术

过压保护电路是电路板常见的一种功能,一般情况下,过压保护电路是采用专门的芯片来进行设计。通常,专用芯片承载的电流比较小,而且型号通常不能很好的匹配需求。

发明内容

本公开提供一种低成本的过压保护电路,可以具备灵活的电压保护需求和更大的电流承载能力。

本公开提供一种过压保护电路,包括:稳压管,PNP型三极管,P沟道Mosfet,以及第一电阻,第二电阻,第三电阻,其中:

第一电阻的一端接电源输入端和所述PNP型三极管的发射极,以及所述P沟道Mosfet的源极,另外一端接所述稳压管的阴极和第二电阻的一端,第二电阻的另外一端接所述PNP型三极管的基极,所述PNP型三极管的集电极接第三电阻的一端和所述P沟道Mosfet的栅级,所述P沟道Mosfet的漏级接电源输出端,所述稳压管的阳极和第三电阻的另一端接地。

进一步地,所述电路的过压阈值通过调节所述稳压管的型号实现。

进一步地,通过改变所述P沟道Mosfet的型号匹配不同的电流大小。

本公开提供的过压保护电路,通过稳压管、PNP型三极管和P沟道Mosfet的组合使用,实现当输入电压超过设定的正常值时,输出端电压为零,并且可通过稳压管和P沟道Mosfet的选型,实现对不同过压阈值和承载电流的匹配。与现有技术相比,本公开的有益效果是:该过压保护电路原理简单,价格低廉,对器件进行简单的替换即可适应不同的电压需求,而且承载的电流较大,具有显著的优势。

附图说明

通过结合附图对本公开示例性实施例进行更详细的描述,本公开的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显,其中,在本公开示例性实施例方式中,相同的参考标号通常代表相同部件。

图1显示根据本公开的示例性实施例电路图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的优选实施例。虽然附图中显示了本公开的优选实施例,然而应该理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了使本公开更加透彻和完整,并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。

如图1所示,根据本公开的电源电压保护电路示例性实施例包括:电阻R1,电阻R2,电阻R3,稳压管D1,PNP型三极管Q2,P沟道Mosfet Q1。电阻R1的一端接电源输入端VCC_in和Q2的发射极,Q1的源极,另外一端接D1的阴极和R2的一端,电阻R2另外一端接Q2的基极,Q2的集电极接R3的一端和Q1的栅级,Q1的漏级接电源输出端VCC_out。

其中,D1作为稳压管,用来进行电压钳位,当VCC_in电压小于D1的钳位电压时,Q2的基极和Q2的集电极相等,则Q2不导通,则Q1的栅级此时电压为零,由于Q1的源极电压大于Q1栅级的电压,此时Q1导通,即VCC_out有电压输出;

当VCC_in电压大于D1的钳位电压时,R2的一端电压为固定值,此时,Q2的基极电压小于Q2的集电极电压,Q2导通,由于Q2导通,此时Q1的源极电压和Q1的栅极电压相等,这样导致Q1不导通,VCC_out无电压输出,从而实现过压保护。

当需要调节过压阈值时候,通过调节D1的型号即可实现;通过改变Q1的型号,则可以匹配不同的电流大小;由此该电路可以灵活的实现需要的阈值和承载能力。

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