[实用新型]一种电源过压保护电路有效

专利信息
申请号: 202121156119.X 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN215120107U 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 杨跞;李庚益;王麒麟;程小猛;陈宏伟;许楠 申请(专利权)人: 中科新松有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 北京科石知识产权代理有限公司 11595 代理人: 徐红岗
地址: 201206 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种过压保护电路,其特征在于,包括:稳压管,PNP型三极管,P沟道Mosfet,以及第一电阻,第二电阻,第三电阻,其中:

第一电阻的一端接电源输入端和所述PNP型三极管的发射极,以及所述P沟道Mosfet的源极,另外一端接所述稳压管的阴极和第二电阻的一端,第二电阻的另外一端接所述PNP型三极管的基极,所述PNP型三极管的集电极接第三电阻的一端和所述P沟道Mosfet的栅级,所述P沟道Mosfet的漏级接电源输出端,所述稳压管的阳极和第三电阻的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,所述电路的过压阈值通过调节所述稳压管的型号实现。

3.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,通过改变所述P沟道Mosfet的型号匹配不同的电流大小。

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