[实用新型]一种镀膜载板有效
申请号: | 202121152629.X | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN215560655U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 吴建晓 | 申请(专利权)人: | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 | ||
本申请提供了一种镀膜载板,属于光伏电池制备技术领域。该镀膜载板包括载板本体,所述载板本体上设置有至少一个容置槽;紧贴所述容置槽的至少部分侧壁设置有支撑构件用于承载待镀膜件;所述容置槽的底部设有支柱,且所述支柱的高度不大于所述支撑构件的高度。所述支撑构件为设置在所述容置槽的侧壁底部的台阶状构件;置于所述支撑构件上的所述待镀膜件与所述容置槽侧壁之间设有间隙。通过本申请的处理方案,解决硅片在工艺过程中受热形变中心塌陷问题,进而避免绕镀问题以及受热不均匀而产生的色差问题,提升设备利用率,提高产品质量。
技术领域
本申请涉及光伏电池制备技术领域,尤其涉及一种镀膜载板。
背景技术
在光伏行业的电池制造过程中,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)真空镀膜机是行业中普遍用到的设备,随着产品的更新换代,不同厂家在现有设备上进行改进以提升产能的趋势日益增大,大多数厂家选择采购使用大尺寸硅片(适配大载板)来增加设备产能。
在CVD沉积膜层工序中,需要使用石墨载板等载具,石墨载板的上表面上设有若干个依据硅片大小而设计容置槽,容置槽具有一定的广度和深度,以便硅片正好嵌入容置槽内。若在载板上使用大尺寸硅片而增大放片容置槽,容易导致气体绕镀反应,即化学气体或蒸汽绕过载板在硅片表面反应造成绕镀膜,产生大量不合格产品,对各厂商在现有设备上的技术改造来提升产能造成很大挑战。
目前主要的问题有,若设计容置槽深度过小,硅片在工艺过程中会受热形变中心会塌陷,与载板接触,造成PL(Photo Luminescenceimaging,光致发光成像)影像异常;若设计容置槽深度过大,硅片在工艺过程中会受热形变中心会塌陷,硅片四边与载板结合面会翘曲,在镀膜过程会发生绕镀现象,造成工艺失效,降低产品的良品率。
实用新型内容
有鉴于此,本申请提供一种镀膜载板,至少部分解决现有技术中存在的问题。
本实用新型提供了一种镀膜载板,包括载板本体,所述载板本体上设置有至少一个容置槽;
紧贴所述容置槽的至少部分侧壁设置有支撑构件,所述支撑构件用于承载待镀膜件;
所述容置槽的底部设有支柱,且所述支柱的高度不大于所述支撑构件的高度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述支撑构件为设置在所述容置槽的侧壁底部的台阶状构件。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述台阶状构件的高度小于所述容置槽的侧壁的高度,所述容置槽的侧壁与所述台阶状构件的上边沿相接且相接面为倾斜面。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述倾斜面的倾角范围为40°-60°。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述支柱的上表面设置有特氟龙涂层。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述容置槽底部设置的所述支柱个数至少为1个,且所述支柱在所述容置槽的底部均匀分布。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述容置槽的边角处设置为倒角结构。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述支柱的形状设置为圆台形、圆柱形、棱台形和棱柱形中的任意一种或几种。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述待镀膜件为硅片或经过前序处理的硅片。
根据本申请实施例的一种具体实现方式,所述载板本体为石墨、玻璃或金属材料制成。
有益效果
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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